一种超薄晶体硅柔性太阳电池片的制造工艺 CN201410192511.8
本发明公开了一种超薄晶体硅柔性太阳电池片的制造工艺，依次包括去损伤及双面制绒、正面沉积SiNx保护膜、背面腐蚀减薄、去除正面SiNx保护膜、扩散制结、刻边与PSG去除、沉积SiNx减反膜、丝网印刷电极、共烧结等步骤。本发明通过背面腐蚀减薄工艺能获得50-120μm的硅片，使硅片的弯曲度得到增加，并且该方法有效的避免了批量生产时碎片的发生，提高了成品率，同时通过降低背面铝背场的厚度，高温烧结后降低了柔性太阳能电池片的翘曲度，减少了碎片率。该工艺所制备出的电池片具备轻质量、高效率、可弯曲等众多优势，可以应用到某些特殊领域，如单兵装备、平流层飞艇、无人机等。
专利类型：发明
专利号：
201410192511.8专利申请日：
2014.05.08公开（公告）日：
2014.09.10申请（专利权）人：
china电子科技集团公司第四十八研究所发明（设计）人：
刘文峰;陆运章;杨晓生;姬常晓;成文国别省市：
湖南;43
