N型晶硅太阳能电池及其制作方法 CN201210270422.1

本发明提供了一种N型晶硅太阳能电池及其制作方法。该N型晶硅太阳能电池包括：N型基体；硼发射极，设置在N型基体的正表面上；第一钝化层，设置在硼发射极远离N型基体的表面上，第一钝化层包括从内向外设置的氧化硅膜、氧化铝膜和氮化硅膜。本发明的N型晶硅太阳能电池，硼发射极表面的氧化铝膜在界面处形成一层固定负电荷，将扩散到表面的少数载流子反射回去，减少了光生载流子在表面复合的速率，提供良好的场效应钝化作用；另外，在烧结过程中氮化硅膜富含的氢元素扩散到SiO2/Si界面处，钝化了界面处的悬挂键，提供了良好的化学钝化作用。因此，使用氮化硅/氧化铝/氧化硅三层膜钝化硼发射极同时提供场效应钝化和化学钝化。
专利类型：发明
专利号：201210270422.1
专利申请日：2012.07.31
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.10.24
分类号：
申请（专利权）人：英利集团有限公司
发明（设计）人：杨德成;郎芳;李高非;胡志岩;熊景峰
国别省市：河北;13