内部光二次散射之高效率双结薄膜太阳能电池技术 CN201110282562.6

本发明主要是适用于双结薄膜太阳能电池之接面处，利用透明氧化层本身内部现有之缺陷，而这些缺陷会提高电子电洞复合的机率，有效阻止在双结接面上载子分离形成反向的内建电场，获得良好的双结薄膜太阳能电池的穿隧结，接着在透明氧化层表面进行离子轰击，使其表面形成凹凸绒状结构，可作为光二次散射之接面，若是第二层薄膜太阳能电池为结晶性结构，此接面之结构也有助于提升薄膜沉积结晶之质量，提升薄膜太阳能电池之效能。
专利号：201110282562.6
专利申请日：2011.11.25
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.06.05
分类号：
申请（专利权）人：吉富新能源科技(上海)有限公司
发明（设计）人：简唯伦;刘幼海;刘吉人
国别省市：上海;31