背面铝箔点接触的PERC晶体硅太阳能电池制备方法 CN201410461039.3

本发明提供了一种背面铝箔点接触的PERC晶体硅太阳能电池制备方法，在硅片的背面铺贴铝箔，采用激光烧蚀，使铝箔与硅基体局部熔融形成局部欧姆接触；本发明提出可以利用廉价的铝箔替代铝浆，采用激光将铝箔与硅基体局部熔融，解决了铝浆印刷碎片率高的问题，节约了生产成本，废料回收方便，更环保。
专利类型：发明
专利号：201410461039.3
专利申请日：2014.09.12
公开（公告）日：2014.12.10
申请（专利权）人：合肥海润光伏科技有限公司
发明（设计）人：夏正月;高艳涛;崔会英;钱亮;何锐;张斌;邢国强
国别省市：安徽;34