晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法 CN201610937271.9

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的绒面结构的制备方法，包括如下步骤：(1)将硅片放入碱性溶液中，去除硅片表面损伤层；(2)然后将硅片放入酸性溶液中，减小不同晶粒上的结构差异；(3)在上述步骤(2)的硅片表面形成多孔质层结构；(4)然后用第一化学腐蚀液进行表面刻蚀，即可得到晶体硅太阳能电池绒面结构。本发明先对硅片表面进行预处理，即先进行碱性溶液去损伤层，然后用酸性溶液进行各向同性腐蚀，两者的配合使用最终得到适合制备纳米绒面的表面结构，在光电转换效率上取得了明显的优势。
专利类型：发明
专利号：201610937271.9
专利申请日：2016.10.25
公开（公告）日：2017.01.18
申请（专利权）人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;
发明（设计）人：邹帅; 王栩生; 邢国强;
国别省市：江苏;32