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选择性发射极晶体硅太阳能电池的制作方法 CN201210518052.9


本发明公开了一种选择性发射极晶体硅太阳能电池的制备方法。该制备方法包括硅片表面清洁,制绒,扩散制作浅p-n结,制作减反射膜层以及印刷正电极、背电极并烧结的步骤,其中印刷正电极的步骤中采用含磷的银浆进行印刷。由于采用含磷的银浆印刷正电极,印刷后经过烧结炉的烘干,烧结,退火过程,银浆中的磷原子在烧结退火形成正电极时进一步磷扩散,在正电极与硅片相接触的区域形成深扩散区,即在正电极的下方形成深p-n结,未与正电极相接触的硅片区域形成浅扩散区,这样在形成正电极的同时得到了深浅p-n结。该制备方法步骤少,成本低,适合于工业化生产,且印刷过程不需要使用高精印刷系统,大大节约了设备成本。
专利类型:发明
专利号:201210518052.9
专利申请日:2012.12.04
公开(公告)号:
公开(公告)日:2013.3.20
分类号:
申请(专利权)人:英利能源(china)有限公司
发明(设计)人:马红娜;杨伟光;王海亮;张红妹
国别省市:河北;13


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