选择性发射极晶体硅太阳能电池的制作方法 CN201210518052.9

本发明公开了一种选择性发射极晶体硅太阳能电池的制备方法。该制备方法包括硅片表面清洁，制绒，扩散制作浅p-n结，制作减反射膜层以及印刷正电极、背电极并烧结的步骤，其中印刷正电极的步骤中采用含磷的银浆进行印刷。由于采用含磷的银浆印刷正电极，印刷后经过烧结炉的烘干，烧结，退火过程，银浆中的磷原子在烧结退火形成正电极时进一步磷扩散，在正电极与硅片相接触的区域形成深扩散区，即在正电极的下方形成深p-n结，未与正电极相接触的硅片区域形成浅扩散区，这样在形成正电极的同时得到了深浅p-n结。该制备方法步骤少，成本低，适合于工业化生产，且印刷过程不需要使用高精印刷系统，大大节约了设备成本。
专利类型：发明
专利号：201210518052.9
专利申请日：2012.12.04
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.3.20
分类号：
申请（专利权）人：英利能源（china）有限公司
发明（设计）人：马红娜;杨伟光;王海亮;张红妹
国别省市：河北;13