一种HIT太阳能电池及其制备方法 CN201410161505.6

　
本发明一种HIT太阳能电池，该电池的组成包括P型多晶硅衬底（P p-Si），在P型多晶硅衬底正面依次沉积的第一本征氢化非晶硅层（i a-Si:H）、N型氢化非晶硅层（N a-Si:H）和第一透明导电薄膜层，透明导电薄膜层上面为正面电极；在P型多晶硅衬底背面依次沉积的本征氢化非晶硅层（i a-Si:H）、P型氢化非晶硅层（P a-Si:H）和第二透明导电薄膜层，第二透明导电薄膜层下面为背面电极。本发明大大降低了电池生产成本，且使得太阳能电池不再受限于圆形的单晶硅衬底，可有效提高太阳能电池组件的平面利用率。
专利号：201410161505.6
专利申请日：2014.04.22
公开（公告）日：2014.07.2
申请（专利权）人：河北工业大学
发明（设计）人：陈贵锋;王弘;张辉;曹哲;张浩恩;张娇;贾少鹏;罗鸿志
国别省市：天津;12