用作太阳能电池吸收层的稀土半导体化合物及其制备方法 CN201310009479.0

本发明公开了一种用作太阳能电池吸收层的稀土半导体化合物及其制备方法，属于薄膜太阳能电池技术领域。本发明提出的用作太阳能电池吸收层的稀土半导体化合物是CuIn1-xRxTe2四元化合物；x=0~0.8。首先按照化学计量比称量Cu、In、R、Te四种元素的单质，然后使用非自耗真空电弧炉在惰性气体保护下反复熔炼Cu和In单质，得到成分均匀的Cu-In合金；再用高温真空固态反应将Cu-In合金、R和Te在马弗炉中处理；将获得的产物经冷却、球磨、烘干和分离提纯后即得到用作太阳能电池吸收层的稀土半导体化合物。该化合物提高了光电池的光电转化效率，降低了成本；本发明提供的方法操作简单，生产效率高。
专利类型：发明
专利号：201310009479.0
专利申请日：2013.01.10
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.04.10
分类号：
申请（专利权）人：华北电力大学
发明（设计）人：郭永权;郑淑;付丽
国别省市：北京;11