利用选择腐蚀衬底剥离制备薄膜太阳能电池的工艺 CN201510270042.1

本发明属于太阳能电池领域，具体提供了一种利用选择腐蚀衬底剥离制备薄膜太阳能电池的工艺，包括下述步骤：在支撑衬底上，依次生长电池有源层、电池本体层；在电池本体层方向，使用BCB胶与廉价衬底键合；选择腐蚀衬底剥离工艺将支撑衬底及电池有源层剥离；将前述步骤得到的太阳能电池本体层在首结方向通过BCB胶键合到硅衬底；将BCB胶剥离，得到完整的电池本体层，即电池功能结构。本发明选用BCB胶与廉价衬底配合，封闭一端，在另一端选用选择腐蚀衬底剥离工艺，去除有源层后，也使用BCB胶封闭，最后统一将BCB胶腐蚀掉，得到完整电池本体结构的方法，腐蚀下来的支撑衬底可以重复利用，大大降低了制造成本，而且操作简单，成功率高。
专利类型：发明
专利号：201510270042.1
专利申请日：2015.05.25
公开（公告）日：2015.10.21
申请（专利权）人：china电子科技集团公司第十八研究所;
发明（设计）人：高鹏; 孙强; 肖志斌; 刘如彬; 薛超; 张启明;
国别省市：天津;12