碳纳米管太阳能电池及其制备方法 CN201110236093.4

本发明提供的一种碳纳米管太阳能电池，其包括：硅基底、碳纳米管薄膜、设置于硅基底和碳纳米管薄膜之间的氧化层、负电极。其中，所述氧化层选自氧化硅或者氧化铝，其厚度范围控制在1～4纳米。氧化层可以通过化学氧化或者物理沉积的方式形成。通过在碳纳米管薄膜和硅基底之间设置氧化层，相当于在碳纳米管薄膜和硅基底间形成了一个高势垒区，可以有效阻止由光激发生成的电子直接向碳纳米管薄膜传输，抑制了不可利用的暗电流的形成，提高了电池转换效率。
专利类型：发明
专利号：201110236093.4
专利申请日：2011.08.17
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.03.6
分类号：
申请（专利权）人：苏州捷迪纳米科技有限公司
发明（设计）人：李清文;邸江涛;勇振中;李红波;金赫华
国别省市：江苏;32