一种复合减反膜晶体硅太阳能电池的制备方法 CN201610549720.2

本发明公开一种复合减反膜晶体硅太阳能电池的制备方法，属于太阳能电池技术领域，具体包括以下步骤：S1：制绒；S2：热扩散制备p‑n结；S3：去PSG；S4：氢化非晶硅层制备；S5：在非晶硅层上放置掩膜，掩膜图形将部分氢化非晶硅层遮盖，然后沉积氮化硅，形成多孔氮化硅层，所述氢化非晶硅层、多孔氮化硅层配合形成复合减反膜；S6：Ag背电极、Al背电场和Ag正电极的印刷和烧结。本发明利用非晶硅层优异的钝化效果和多孔氮化硅层的低反射率，及非晶硅层/多孔氮化硅层优异的光学匹配，使得太阳能电池的太阳光子利用率大大提高，载流子复合速率大大下降，从而大大提升电池的转换效率。
专利类型：发明
专利号：201610549720.2
专利申请日：2016.07.12
公开（公告）日：2016.09.28
申请（专利权）人：广东爱康太阳能科技有限公司;
发明（设计）人：石强; 秦崇德; 方结彬; 黄玉平; 何达能; 陈刚;
国别省市：广东;44