非晶硅中间带太阳能电池及其制备方法 CN201210375872.7

本发明提供了一种非晶硅中间带太阳能电池及其制备方法，该非晶硅中间带电池包括：导电衬底；n型纳米线，形成于导电衬底上；非晶硅中间带层，形成于n型纳米线上；p型非晶硅层，形成于非晶硅中间带层上；透明导电薄膜层，形成于p型非晶硅层上。本发明中，通过利用纳米线材料具有高度取向性、占空比和比表面可控的特性，从而为光生载流子提供快捷通道，减少复合，提高光生载流子的收集效率。
专利类型：发明
专利号：201210375872.7
专利申请日：2012.09.29
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.1.23
分类号：
申请（专利权）人：china科学院半导体研究所
发明（设计）人：周天微;曹权;左玉华;王启明
国别省市：北京;11