In-Ga-O系氧化物烧结体、靶、氧化物半导体薄膜以及它们的制造方法

一种氧化物烧结体，其中，实质上结晶结构由显示出方铁锰矿结构的氧化铟构成，镓原子固溶在上述氧化铟中，原子比Ga/(Ga+In)为0.10～0.15。。
专利类型：发明
专利号：201180004849.0
专利申请日：2011.01.14
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.08.29
分类号：
申请（专利权）人：出光兴产株式会社
发明（设计）人：江端一晃;笘井重和;矢野公规
国别省市：日本;JP

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