一类纳米多孔硅合金材料及其制备方法 CN201310092226.4

　
本发明涉及一类纳米多孔硅合金材料及其制备方法。其目的在于提供一种对多元合金进行腐蚀来制备纳米多孔硅合金材料的方法，用该方法制备的材料作为纳米结构化的体相材料，易于展现高的性能与稳定性、适于大规模生产。本发明的目的是采用下述技术方案实现的：一类纳米多孔硅合金材料，其组分包括硅，同时包括银或3d金属元素中的一种，所述的3d金属包括Cu、Zn、Co、Ni、Fe；其制备方法采用自由腐蚀法。本发明的有益效果是：操作简单、结构成分可控可调、产率高、无目标材料损耗、适于大规模生产。
专利号：201310092226.4
专利申请日：2013.03.22
公开（公告）日：2013.08.14
申请（专利权）人：济南大学
发明（设计）人：徐彩霞;郝芹
国别省市：山东;37