一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层的制备方法 CN201210184225.8

本发明提供一种铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层的制备方法，先采用化学气相沉积，加热铜源、铟源、镓源使其转变为气相，经分解后沉积在衬底上形成铜铟镓金属预置层；然后将所述铜铟镓金属预置层经硒化烧结得到铜铟镓硒薄膜。与现有技术相比，本发明的优点在于对设备要求低，大大降低了制备成本，且金属预置层的沉积完全在大气环境中进行，操作简单，有利于大规模生产及光伏能源的开发利用。
专利类型：发明
专利号：201210184225.8
专利申请日：2012.06.06
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.10.17
分类号：
申请（专利权）人：华东师范大学
发明（设计）人：黄素梅;李志强;张衡
国别省市：上海;31