非真空法制备梯度带隙CIGS太阳能电池光吸收层的生产工艺 CN201410148830.9

　
本发明提供非真空法制备梯度带隙CIGS太阳能电池光吸收层的生产工艺，以镓和有机硒源溶解物为晶核生长剂并溶解于III.VI族三元化合物中得到纯相；C、Si、Ge、Sn主族、V、Cr、Fe阳离子和Ti过度金属和镧系轻稀土元素的掺杂物或铝硫碳参与液-固相配位化学反应形成无铟无镓中间带材料，形成5种不同元素组分呈梯度能带分布的太阳能电池光子吸收层。本发明的生产工艺包括步骤：S1.制备导带底层和价带顶层的前驱溶液F1；S2.制备中间带层的前驱溶液F2；S3.制备带隙调节的前驱溶液F3、带隙调节亚层前驱溶液F4、调节亚层补充前驱溶液F5；S4.对基底进行清洗；S5.涂覆成光吸收层；S6.有机硒源热合成处理。
专利号：201410148830.9
专利申请日：2014.04.15
公开（公告）日：2014.06.25
申请（专利权）人：苏州斯贝孚光伏科技有限公司
发明（设计）人：王旭;田瑞岩;钱斌;郭国春;袁晚春;朱坤伦;王锦
国别省市：江苏;32