N型硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法 CN201310627365.2

本发明公开了一种N型硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法。硼扩散方法包括以下步骤：沉积阶段，将湿法刻蚀后的硅片放入扩散炉内升温至890℃～920℃，之后通入氮气、氧气和硼源使其硅片表面进行沉积；扩散阶段，在氮气气氛下将表面沉积后的硅片升温至预定温度，推进硼扩散；以及后氧化阶段，将硼扩散后的硅片降温，并同时通入氧气和氮气，得到硼扩散后的硅片。采用本发明的沉积扩散工艺降低了硅片表面的硼原子浓度，减小了表面的复合速率和晶格损伤，将方阻标准差（STDEV）控制在2.0左右，改善了硼扩散方阻均匀性，提高了电池的转换效率，也降低了硼源耗量，避免了生成过多的硼硅玻璃（BGS），节约了成本。
专利类型：发明
专利号：201310627365.2
专利申请日：2013.11.29
公开（公告）日：2014.03.12
申请（专利权）人：英利集团有限公司
发明（设计）人：袁广锋;何广川;陈艳涛;李雪涛
国别省市：河北;13