具有CdS/(Zn(S,O))缓冲层的黄铜薄膜太阳能电池及其制备方法 CN201080057179.4

本发明涉及一种黄铜薄膜太阳能电池，所述黄铜薄膜太阳能电池包含CIS吸收体层(14)，直接设置在所述CIS吸收体层上的缓冲层(16)和直接设置在所述缓冲层上的含有ZnO的窗口层(18，20)。所述太阳能电池的特征在于：所述缓冲层由CdS和Zn(S，O)组成，其中，CdS的浓度从所述CIS吸收体层开始向着所述含有ZnO的窗口层降低。
专利类型：发明
专利号：201080057179.4
专利申请日：2010.11.17
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.09.05
分类号：
申请（专利权）人：索泰克特里有限公司
发明（设计）人：亚历山大·梅德;戴安娜·弗尔斯特;克日什托夫·威尔谢米
国别省市：德国;DE