电沉积法制备铜铟硫薄膜材料 CN201110050552.X

本发明涉及一种铜铟硫薄膜的制备方法，属于光电材料技术领域。其主要特征是：采用电化学沉积法制备铜铟合金膜，再通过硫化退火的方法得到铜铟硫合金膜。本发明制得的铜铟硫薄膜不含杂相，表面呈柱状颗粒并且致密均匀的连结在一起；吸收系数可达到105cm-1数量级，禁带宽度接近太阳能电池材料所需的最佳值1.45eV，是一种简单、经济、环保的制备方法。
专利类型：发明
专利号：201110050552.X
专利申请日：2011.03.03
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.09.05
分类号：
申请（专利权）人：北京化工大学
发明（设计）人：元炯亮;邵婵
国别省市：北京;11