一种微晶格失配量子阱太阳能电池及其制备方法 CN201610596728.4

本发明公开了一种微晶格失配量子阱太阳能电池及其制备方法，其电池是以p型Ge为衬底，自衬底上表面起由下而上依次层叠排列着In0.5Ga0.5P成核层、In0.01Ga0.99As缓冲层、分布式布拉格反射镜、第一隧道结、InxGa1‑xP渐变缓冲层、InyGa1‑yAs中电池、第二隧道结、InzGa1‑zP顶电池、InyGa1‑yAs欧姆接触层、正面电极、减反射膜；在p型Ge衬底下表面制备有背面电极。本发明采用与p型Ge衬底存在微晶格失配的InyGa1‑yAs和InzGa1‑zP分别作为中电池材料、顶电池材料，并增加“InyGa1‑yAs/Ga0.92In0.08N0.028As”量子阱结构，同时采用InxGa1‑xP渐变缓冲层来消除微晶格失配产生的位错等缺陷，并采用分布式布拉格反射镜增强InyGa1‑yAs中电池对太阳光子的利用率，最终可以提高中电池和顶电池的电流密度，提升电池的光电转换效率。
专利类型：发明
专利号：201610596728.4
专利申请日：2016.07.26
公开（公告）日：2016.11.2
申请（专利权）人：中山德华芯片技术有限公司;
发明（设计）人：周文远; 刘建庆; 吴波; 刘雪珍; 张小宾; 杨翠柏;
国别省市：广东;44