薄膜硅叠层太阳能电池及其制造方法 CN201080058850.7

该光伏电池包含，以下列顺序沉积在透明基板上的：第一导电氧化物层；第一p-i-n结；第二p-i-n结；第二导电氧化物层，其中所述第一导电氧化物层基本透明并包含低压化学气相沉积的ZnO层；和所述第二导电氧化物层包含至少部分透明的低压化学气相沉积的ZnO层；和其中所述第一p-i-n结以下列顺序包含：利用PECVD沉积并在其面向所述第二p-i-n结的末端区域处具有比在其面向所述第一导电氧化物层的末端区域处高的带隙的p-掺杂的a-Si:H层；利用PECVD沉积的没有主动添加掺杂剂的a-Si:H缓冲层；利用PECVD沉积的基本本征的a-Si:H层；利用PECVD沉积的n-掺杂的a-Si:H的第一层；和利用PECVD沉积的n-掺杂的μc-Si:H层；和其中所述第二p-i-n结以下列顺序包含利用PECVD沉积的p-掺杂的μc-Si:H层；利用PECVD沉积的基本本征的μc-Si:H层；和利用PECVD沉积的n-掺杂的a-Si:H的第二层。光伏转换器面板包含至少一个这样的光伏电池。
专利类型：发明
专利号：201080058850.7
专利申请日：2010.10.28
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.09.05
分类号：
申请（专利权）人：欧瑞康太阳能股份公司（特吕巴赫）
发明（设计）人：T. 罗舍克;H. 戈德巴赫
国别省市：瑞士;CH