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半导体器件、其他类目未包括的电固体器件专利技术01
002 台面半导体器件玻璃钝化工艺 003 改性铌酸铅钡钠压电陶瓷材料 004 钛酸铋钠钡系超声用压电陶瓷材料 005 具有金属反射腔的半导体平面发光器件 006 用于制造半导体器件的装置 007 薄膜型二氧化锡气敏元件及其制造方法 008 电子器件的制造方法 009 半导体集成电路器件及其制造工艺 010 含有各种不同容量电容的集成电路 011 半导体器件 012 在一块半导体晶片上涂盖一层感光材料的方法及装置 013 金属氧化物半导体绝缘工艺 014 金属－氧化物－半导体后部工艺 015 制造半导体器件的方法 016 集成电路气密封装法 017 全温区工作的硅晶体管的制造技术 018 功率器件的封装方法 019 高热稳定性的功率器件的封装方法 020 一种制造电子器件的方法 021 耐热薄膜光电转换器 022 多结半导体器件 023 具有改善群延时特性的压电谐振元件 024 互补半导体器件 025 制造设备 026 水平结构晶体管及其制作方法 027 等温功率晶体管的制作工艺 028 双极异质结晶体管及其制造方法 029 半导体集成电路器件及其制造方法 030 制造半导体集成电路的隔离方法 031 缓变晶格外延层的生长 032 两色分波硅彩色传感器 033 半导体集成电路器件 034 具有埋置接点的集成电路制造工艺 035 防止铁电陶瓷器件相变开裂的处理方法 036 太阳能电池密封组件的结构 037 电子器件及其制造方法 038 金属层制版印刷术中作抗反射涂层用的无定形硅 039 含氟的P型掺杂微晶半导体合金及其制造方法 040 半刚性光电模块组件及其结构支撑 041 制造半导体集成电路器件的方法 042 半导体器件 043 变折射率薄膜的单源真空沉积法 044 太阳能重复发电的方法与装置 045 一种双层结构的低压化学蒸汽淀积外延炉管装置 046 复合热释电红外探测器 047 一种定向凝固生长太阳能电池用的多晶硅锭工艺 048 电子器件的封装 049 硅基底上附有热熔粘合剂的集成电路硅小片复合物的制做方法 050 塑料封装的半导体器件 051 台面型半导体器件的制造方法 052 气载掺杂剂掺杂非晶硅方法 053 制备半导体化合物薄膜的射频溅射法 054 用于无掩模被覆金属方法的扩散隔离层 055 改进的硼掺杂半导体材料及其制备方法 056 太阳电池相互电连接的方法 057 薄膜晶体管的制作方法 058 半导体器件及其生产方法,以及上述工艺所用的引线框架 059 高密度互补型金属氧化物半导体集成电路制造工艺 060 半导体发光器件的发射腔及其工艺 061 高抗干扰HP-MOS系列集成电路 062 半导体器件 063 双极晶体管 064 杂质的扩散方法 065 电荷耦合器件 066 液晶显示板及其制造法 067 双极晶体管 068 半导体汽化冷却装置 069 二维磁矢量磁敏器件 070 半导体器件及其制造法 071 具有聚光反射器的光电池阵列 072 在量子阱器件中的磷势垒和高磷多磷化合物势垒 073 具有冷却装置的半导体组件 074 硅圆片的加强材料 075 半导体工艺 076 采用氮族元素聚合物半导体的薄膜场效应晶体管 077 具有能在集成电路中集成的霍耳元件的装置 078 具有能在集成电路中集成的霍耳元件的装置 079 半导体器件 080 半导体器件及其制造方法 081 动态随机存取存贮器单元(dRAM)和生产方法 082 制造高灵敏度光敏三极管的方法 083 光电池 084 半导体装置的导线材料 085 半导体芯片附着装置 086 半导体器件 087 半导体器件的制造方法 088 在材料(例如半导体材料)中加工亚微型槽的方法以及用这种方法制成的器件 089 高密度动态随机存取存储器(RAM)的槽式电容器的制造方法 090 应力和温度补偿声表面波器件 091 晶体管 092 半导体器件及装置 093 在光电器件中为波导所用的磷族元素化物的膜 094 半导体集成电路和为其设计电路图形的方法 095 带动态控制的电荷耦合半导体器件 096 半导体器件及其制造方法 097 在硅衬底上形成隔离硅区和场效应器件的工艺过程 098 电缆 099 湿敏元件及其制造法 100 有自测试能力的超大规模集成电路 101 光敏PN结侧向注入电器件的间接耦合方法 102 抗辐射半导体器件 103 半导体器件 104 前截止热释电探测器 105 带有MIS(金属-绝缘体-半导体)_集成电容器的单片集成电路 106 对模糊现象不敏感的图像传感器及其制造方法 107 用在数字式电子仪器方面的集成电路 108 厚膜电路用配方 109 太阳电池装置 110 用反应气体淀积的材料制作半导体器件的方法及其设备 111 增加有效面积的光电池 112 稳压二极管 113 具有控制电极的半导体器件 114 包含互补场效应晶体管的集成电路 115 在局部提供凹陷氧化层的硅半导体器件制造方法 116 电子线路器件的封装及其制造方法和设备 117 具有金属涂料接头的太阳电池 118 单块数字集成电路 119 绝缘体结构上的硅互联埋层 120 半导体器件的制造方法 121 可控制接通的硅可控整流器 122 利用氟化气体混合物进行硅的等离子体蚀刻 123 减少双极器件的管道漏电和表面漏电的方法 124 化合物半导体平面结型器件欧姆接触的制备方法 125 光生伏打器件及其制造方法 126 在半导体衬底材料接触区制作电接触的方法 127 半导体器件 128 用于数字化电子设备的集成电路器件 129 闸门电路断开可控硅 130 半导体三极管发射结反向过电压保护电路和有保护能力的可调直流稳压电源 131 光电型器件及其制造方法 132 双注入场效应晶体管 133 从衬底上去除薄膜的气态方法和设备 134 压电陶瓷元件之制备方法 135 富含镉的Ｈｇ1-xＣｄxＴｅ的薄层异质结光电池和Ｈ... 136 光电池组的二极管旁路保护装置 137 光电池板 138 制做光电组件的装置 139 具有倾斜外围电路的集成电路器件 140 一种改进的锑化铟多元列阵器件工艺 141 整个半导体层无电气缺陷的半导体器件及其制造方法 142 二维电子气发射极半导体器件 143 半导体器件的制造方法和系统 144 带有埋置绝缘氧化物区的金属氧化物半导体晶体管制作方法 145 MOS_场效应晶体管的栅压温度筛选方法 146 在沟槽电容器结构上具有一单晶晶体管的动态存贮器器件及其制造方法 147 用于算术运算和显示的集成电路 148 半导体集成电路/系统 149 半导体阀门 150 掺杂剂均匀分布的固体摄像器及其制造方法 151 等离子体处理装置 152 用于化合物半导体的薄膜层的生长方法 153 光电动势元件及其制备工艺和设备 154 二氧化锡膜溶解法 155 光电转换器及其制造方法 156 高跨导高厄利(Early)电压模拟(M0S)晶体管 157 高速响应光电转换器及其制造方法 158 超大规模集成电路的局部互连方法及其结构 159 高清晰阳极化的内层界面 160 电荷耦合器件 161 垂直倒相器电路 162 半导体器件的制造方法 163 太阳能电池阵列 164 一种多晶硅自对准双极器件及其制造工艺 165 光电转换器件的制造方法 166 应用侧壁及去除技术制做亚微米掩模窗口的方法 167 薄膜晶体管 168 用等离子体增强的化学气相沉积法沉积垂直方向电阻的方法 169 半导体致冷的环块电堆 170 用阳极化硅内层的开槽和氧化形成的半导体隔离 171 半导体器件的制造方法 172 碳化硅(SiC)二极管温度传感器 173 图象读取光检测器及其制作方法和装置 174 抛光法U形槽隔离技术 175 半导体集成电路板的冷却设备 176 溴强腐蚀混合源抑制自掺杂硅外延 177 消除半导体层制造缺陷的方法 178 微电子电路的接合方法 179 光学传感器 180 耐热塑料半导体器件 181 高速硅光敏三极管 182 太阳电池组件 183 半导体器件 184 可集成的霍尔元件 185 半导体器件及其制造方法 186 电光器件及其制造方法 187 电阻--氧化物--半导体场效晶体管 188 固体象感器 189 深区PN结二极管 190 在多晶硅上具有平滑界面的集成电路 191 半导体器件的制造方法和系统 192 半导体器件 193 半导体器件 194 半导体器件的制造方法和系统 195 聚焦误差检测系统及光读出和／或写入设备 196 散热性能改善了的大规模集成电路封装 197 集成电路绝缘工艺方法 198 配制液态掺杂剂稀溶液的气体载运方法及其装置 199 多层外延砷化镓的双源法和装置 200 消分馏的方法和装置 201 发光二极管表示灯泡 202 压接触ＧＴＯ－可控硅整流器 203 有架空旁路层的金属--半导体场效应管及制造方法 204 热电型红外探测器 205 反向工作的晶体管偶合逻辑 206 动能调制热电子晶体管 207 半导体器件及其制造方法 208 硅平面型功率晶体管管芯制造方法 209 超低温烧结PNN压电陶瓷及其制造工艺 210 在半导体圆片的边缘制造斜面的方法 211 薄固体膜片组成的层状结构的局部混合 212 半导体元件 213 制造快速晶闸管的扩金新工艺 214 栅控半导体四极管 215 一种半导体硅元件的芯片支承体 216 半导体器件的制造方法 217 P+n二极管银凸点电极无胶电镀 218 电子器件及其制造方法 219 整体式热导管组件
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