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半导体器件、其他类目未包括的电固体器件专利技术70

001 蓝宝石衬底减薄方法
002 发光二极管背光板
003 一种发光二极管结构
004 具有热吸收层的发光元件的制造方法
005 两相热法合成硫化镉量子点
006 半导体发光器件及其制造方法
007 阵列式发光二极管的模组化结构及其封装方法
008 半导体发光元件
009 一种发光二极管的结构及其制造方法
010 制作一半导体发光元件的方法
011 一种发光二极管
012 发光二极管
013 微型薄膜温差电池的制造方法
014 压电震动片的制作方法
015 一种瀑布载流子俘获结构有机发光二极管的制造方法
016 用于浸渍处理的高级处理控制
017 半导体装置的制造方法
018 深沟渠电容器以及电阻之同时形成
019 阀装置和热处理装置
020 等离子体蚀刻方法
021 等离子体处理装置
022 通过离子注入制造高电压MOS晶体管的方法
023 将密封物体固定到基底物体上的方法
024 基于原位传感器的半导体处理工序控制
025 用于半导体工艺中高级工艺控制的动态度量方案和取样方案
026 半导体封装器件及其制造和测试方法
027 晶片定位装置及其连带提供的加载舱
028 非易失性存储器
029 半导体装置及其制造方法
030 二极管电路及其制造方法
031 用于太阳能电池的防护玻璃罩
032 用于光电装置的烘箱
033 辐射元件的芯片引线架、辐射元件及其制造方法
034 透光、热稳定的含有有机层的发光元件
035 制造半导体器件的设备及方法和半导体器件
036 颗粒除去装置和颗粒除去方法及等离子体处理装置
037 模拟电路图形评估方法、半导体集成电路的制造方法、测试衬底以及测试衬底组
038 在蚀刻处理中控制关键尺寸的方法
039 半导体器件及制作一低温多晶硅层的方法
040 加热方法、加热装置、以及图像显示装置的制造方法
041 图案形成方法
042 利用激光结晶形成多晶系膜层的方法
043 一种用氮气消除横向凹槽的方法
044 处理栅极结构的方法
045 布线基板及其制造方法以及薄膜晶体管及其制造方法
046 半导体器件、切割半导体器件的切割设备及其切割方法
047 电极制造方法
048 半导体晶片的加工方法
049 具有粘胶带的工件的解开方法和解开设备
050 静电蚀刻方法及其装置
051 表面处理方法
052 表面处理装置
053 双大马士革结构中刻蚀阻挡层的旋涂法制备
054 半导体器件的制造方法
055 降低化学气相沉积掺杂磷氧化层表面缺陷的方法
056 用于铜布线化学机械抛光的清洗液提供装置
057 制造半导体器件的方法
058 半导体装置的制法以及半导体芯片组装体的保护树脂涂敷装置
059 半导体装置的制造方法及半导体装置
060 集成电路芯片视觉对准方法
061 晶片级CSP的制造方法
062 一种半导体产品可靠性的测量方法
063 半导体装置及半导体装置的制造方法
064 晶片装载室
065 多电流路径抑制电流拥挤效应的片上电感设计方法
066 PN结衬底隔离片上电感的优化设计方法
067 一种用于浅沟槽隔离技术的化学机械抛光工艺
068 一种超深隔离槽开口形状的控制方法及产品
069 一种基于纳米碳管的互连方法
070 基于优化遗传算法改进软硬件划分效率的技术实现方法
071 制造具有绝缘环的沟道式电容器的方法
072 具有制作在不同晶向晶片上的器件层的三维CMOS集成电路
073 光半导体集成电路装置的制造方法
074 利用氧化线间隙壁与回蚀刻制造DRAM晶胞结构的方法
075 生产多芯片模块的方法和多芯片模块
076 半导体装置及其制造方法
077 配线衬底及其制造方法
078 倒装芯片安装电路板、其制造方法和集成电路装置
079 半导体模块及其制造方法
080 功率模块及其连接方法
081 半导体器件的接触结构及其制造方法
082 利用多层布线防止低介电常数膜剥离的半导体器件
083 一种钨塞阻挡层淀积工艺及其结构
084 半导体器件
085 芯片夹心装置之互连及其制造方法
086 层积半导体芯片的半导体装置及其制造方法
087 层积半导体芯片的半导体装置及其制造方法
088 半导体器件
089 电路装置及其制造方法
090 半导体器件及其制造方法
091 一种具有多个内部功能块的芯片及其供电降噪的方法
092 集成电路系统及其制造方法
093 半导体集成电路装置
094 半导体集成电路装置
095 半导体集成电路装置
096 晶体管基板与显示装置及其制造方法
097 一种基于纵向双势垒共振隧穿结构的量子点存储器
098 集成存储器电路
099 集成电路的斜主动区域半导体组件结构
100 半导体器件及其制作方法
101 CCD图像传感器和高精度线性尺寸测量装置及其测量方法
102 信息处理结构体
103 信息处理结构体
104 半导体器件以及半导体器件的驱动电路
105 具有硅化物薄膜的半导体器件及其制造方法
106 半导体装置及其制造方法
107 控制薄膜晶体管及其制造方法与含其的电致发光显示装置
108 太阳电池自动布贴系统
109 一种具有尖锐激子峰的半绝缘多量子阱的生长方法
110 氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的制造方法
111 反射板和发光二极管用壳体及其发光二极管
112 新型准直发光二极管封装结构
113 光发射器件组件
114 发光元件及其制造方法
115 发光二极管
116 发光二极管
117 发光元件的制造方法
118 具有抗全反射增透薄膜的发光二极管及其制备方法
119 热电变换装置
120 一种具有反相双输出的极性交错型压电陶瓷变压器
121 磁电阻效应元件、磁头和磁再现设备
122 减轻紧邻表面液体分散喷流之间交叉污染的方法和装置
123 包含金属-绝缘体-金属电容器之集成半导体产品
124 具金属-绝缘体-金属电容器之集成半导体产品
125 用于使N-沟道与P-沟道晶体管个别最佳化的差别隔离层的形成方法
126 半导体处理用的热处理装置及方法
127 具有对氮化物肩部高度敏感性的自对准接触蚀刻
128 用多官能碳硅烷制造介电层的方法
129 有改善的较小正向电压损耗和较高截断能力的半导体结构
130 具沟槽晶体管的存储单元
131 管芯底部与支撑板分隔开的表面安装封装
132 可B阶段双重固化的晶片级底层填料
133 使用直接铜接合的电/光集成方案
134 大面积碳化硅器件及其制造方法
135 被处理体的升降机构及使用它的处理装置
136 带有一个或更多通孔的半导体结构
137 具有表面击穿保护的低压穿通双向瞬态电压抑制器件及其制造方法
138 具有埋设金属硅化物位线的金属氧氮氧半导体装置
139 制作高宽高比的电极的方法
140 光电子器件
141 氧化锆稳定的复丝铌-锡超导线
142 一种可校正制造工艺偏差的对准标记及其对准方法
143 薄膜晶体管阵列基板的制造方法
144 操作电子器件的装置及其方法
145 用标准集成电路工艺设计低寄生电容差分驱动对称电感的方法
146 半导体制造装置及利用这种装置形成图案的方法
147 电子束描绘装置和电子束描绘方法
148 偏转变形校正系统和方法以及半导体器件的制造方法
149 流体供给装置
150 将半导体晶片与支承件分离的方法以及使用该方法的装置
151 用于化学机械抛光的弹性抛光垫板
152 分离半导体晶片的方法及使用该方法的分离装置
153 将保护带接合到半导体晶片的方法和装置
154 应用于半导体制备工艺中的斜面制造方法
155 基于纳米材料排布的纳米刻蚀方法
156 能防止湿式清洁过程导致之损坏的半导体装置的制造方法
157 低电阻T形脊结构
158 碳化硅-氧化物层叠体及其制造方法以及半导体装置
159 引线框的制造方法、半导体装置的制造方法及半导体装置
160 电子电路装置及其制造方法以及制造装置
161 半导体元件的安装方法及半导体元件安装基板
162 半导体加工用粘着片及半导体加工方法
163 防止微粒附着装置和等离子体处理装置
164 同时制造各种尺寸的隔离结构的方法
165 氧化硅沟填制程
166 在基底上制作集成电路及形成均匀铜内联机的方法
167 半导体器件的制造方法
168 单一晶体管型随机存取存储器的制造方法及其电容器结构
169 晶片级封装方法及结构
170 半导体装置及其制造方法
171 液冷式电功率转换装置
172 半导体器件及其制造方法
173 柱形结构
174 半导体器件及其制造方法
175 具有多晶硅熔丝的半导体器件及其微调方法
176 互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块
177 光学器件及其制造方法
178 半导体装置及其制造方法、电路基板以及电子设备
179 薄膜晶体管阵列面板
180 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
181 半导体器件
182 具有源极端选择晶体管的嵌入式闪存
183 闪存存储单元及其制备方法
184 半导体存储器及其驱动方法
185 光学器件及其制造方法
186 金属在金属上的组件及其制造方法
187 半导体器件及其制造方法
188 基于双势垒隧道结共振隧穿效应的晶体管
189 半导体器件及其制作方法
190 半导体装置及其制造方法
191 半导体装置及其制造方法
192 半导体器件及其制造方法
193 制作太阳能电池的方法及由此制作的太阳能电池
194 氮化物半导体发光器件及其制造方法
195 氮化物基发光器件及其制造方法
196 高亮度的发光元件及其制造方法
197 压电元件及利用该压电元件的触摸屏
198 基板接合体及其制法、电光学装置的制法、及电光学装置
199 具有小形体尺寸和大形体尺寸元件的装置以及制造这种装置的方法
200 制造精细结构之无阻光刻方法
201 通过应用多再氧化层作为蚀刻终止层以最小化硅凹部的氮化物偏移间隔
202 具有氮/碳稳定的氧沉淀物成核中心的理想氧沉淀硅片及其制造方法
203 用于改善晶体管性能的复合间隔区内衬
204 包括有薄氧化物内衬的半导体装置及其制法
205 制造多个组件的方法
206 制造电子器件的方法
207 散热增强的薄倒装引脚铸模封装
208 用于制造微电路板的方法
209 非易失存储单元的制造
210 带有不同硅厚度的绝缘膜上硅装置
211 检测器
212 齿形光致电压屋顶板
213 摄像设备和包括摄像设备的摄像机系统
214 电性程序化的金属氧化半导体晶体管源极/漏极串联电阻
215 利用整合度量工具监测制程的稳定度
216 制造半导体器件的方法
217 一种层转移结构及其方法
218 半导体装置的制造方法
219 带电粒子束描绘方法和带电粒子束描绘装置


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