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半导体器件、其他类目未包括的电固体器件专利技术32
002 半导体器件的制造方法 003 具有空腔结构的树脂模制的封装 004 柔性集成单片电路 005 具有ID标记的半导体晶片,及从中生产半导体器件的方法和设备 006 半导体存储装置及其制造方法 007 半导体器件 008 半导体器件及其制造方法 009 图像感测元件,图像感测装置和信息处理装置 010 半导体装置、互补型半导体装置 011 半导体组件及其制造方法 012 薄膜多晶太阳能电池及其形成方法 013 半导体器件和硅基膜的形成方法 014 半导体元件及其制造方法 015 使用超临界二氧化碳法从衬底上去除光刻胶及残渣 016 具有减轻的击穿现象的沟道型双扩散金属氧化物半导体晶体管 017 用于快擦写内存源极/漏极的固态源掺杂 018 可再处理的热固性树脂组合物 019 利用绝缘衬垫防止窄器件中的阈值电压的滚降 020 半导体装置 021 用附加的焊指行提高丝焊密度 022 用于生产芯片卡便携存储介质的方法 023 差动放大器输入端防静电放电保护电路 024 半导体发光器件 025 结构评价方法、半导体装置的制造方法及记录媒体 026 电子器件制造 027 受光元件和使用受光元件的光检测器 028 高效荧光材料 029 光电元件 030 多个工件的超临界处理的方法和装置 031 低温下用顺序横向固化制造单晶或多晶硅薄膜的系统和方法 032 用顺序横向固化制造均匀大晶粒和晶粒边界位置受控的多晶硅薄膜半导体的方法 033 用于集成电路平面化的改进装置和方法 034 MOSFET的制造方法 035 一种模具 036 集成电路绝缘结构的制作 037 在双重镶嵌方法中的低介电常数的阻蚀刻层 038 具有可熔焊区和可细丝压焊区的金属再分布层 039 薄膜半导体器件的制造方法 040 半导体晶片的清洗方法 041 降低电致迁移现象的方法 042 半导体微型薄片封装方法 043 存储器的电容器下电极的制造方法 044 半导体装置及其制造方法、电路基板以及电子装置 045 选择性半球形硅晶粒制作工艺 046 薄型半导体装置及其制备方法 047 散热装置的辅助固定器 048 半导体器件 049 带有可控硅整流器的保护器件 050 绝缘栅型半导体装置及其制造方法 051 薄膜的形成方法 052 半导体面发光器件及增强横向电流扩展的方法 053 有机发光二极管器件中改进的阴极层 054 具有自对准接触结构的半导体器件及其形成方法 055 碳化硅横向场效应晶体管和制造方法及其使用 056 电子部件的安装方法及其装置 057 具有集成射频能力的多芯片模块 058 半导体装置及其制造方法,制造装置,电路基板和电子装置 059 加工晶片的设备 060 在电镀和/或电抛光期间装载和定位半导体工件的方法与设备 061 处理单晶半导体晶片的方法和局部处理的半导体晶片 062 双处理半导体异质结构和方法 063 热加强球型栅极阵列封装的金属芯基质印刷接线板及方法 064 集成电路的静电放电保护 065 用于封装包括邻近有源区的空腔和相关结构的集成电路器件的方法 066 用来降低全局图形密度效应的智能栅层填充方法 067 衬底薄膜烧蚀方法及其设备 068 光电变换功能元件及其制造方法 069 分布布拉格反射器、有机发光元件及彩色发光器件 070 制备电光装置衬底的方法、电光装置衬底、电光装置以及电子装置 071 带突起的线路板及其制造方法 072 双重金属镶嵌结构的制造方法 073 芯片大小插件、印刷电路板、和设计印刷电路板的方法 074 环氧树脂组合物和半导体装置 075 半导体集成电路 076 薄膜晶体管及半导体器件 077 半导体器件 078 高亮度发光装置 079 磁阻元件以及磁阻效应型存储元件 080 磁阻元件和使用磁阻元件的磁器件 081 利用掩膜使非晶硅结晶的方法 082 用于连续横向固化的非晶硅淀积 083 半导体芯片加载用接合带、半导体芯片的载体及包装体 084 利用溶胶－凝胶(Sol－Gel)法制备p型ZnO薄膜 085 叶片式基片清洗方法及其装置 086 基板处理方法及装置 087 低介电常数绝缘膜及其形成方法,以及使用它的电路 088 介电层的蚀刻制程 089 一种制备钴硅化物的方法 090 半导体金属内连线的制造方法 091 平面显示器制造方法 092 清除FAMOS存储单元及相应存储单元的方法 093 决定分离闸存储胞元特性的方法 094 用于形成树脂拉杆的带和树脂拉杆 095 半导体芯片焊接用台阶状图案 096 高密度集成电路构装结构及其方法 097 半导体器件 098 具有导流设计的风扇装置 099 半导体器件 100 加速次级导通的二级式静电放电防护电路 101 半导体器件 102 化合物半导体开关电路装置 103 半导体器件 104 半导体存储装置 105 补偿器件,电路,方法和应用 106 用硅绝缘体(SOI)基片上的应变Si/SiGe层的迁移率增强的NMOS和... 107 轻掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法 108 薄膜晶体管及其制造方法 109 高频肖特基二极管 110 半导体装置及其制造方法 111 含荧光体的发光半导体器件及应用 112 具有对边电极的发光二极管元件及其制造方法 113 弯曲振动模式压电陶瓷升压变压器及其制备方法 114 半导体器件制造工艺 115 底栅薄膜晶体管的制作方法 116 用于半导体测试系统的晶片图象显示装置和方法 117 基片传送装置 118 一种具有多孔绝缘层和空气隙的半导体设备的制造方法 119 具有强电介质电容器的存储单元阵列及其制造方法以及强电介质存储装置 120 分形结构及其形成方法 121 整合高压元件制程的形成高阻值电阻的方法 122 激光修复过程 123 半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 124 氮化物半导体生长工艺 125 制作基极介电层的方法 126 在气体环境中执行曝光处理的基片处理系统 127 磷化铟单晶片的抛光工艺 128 化学机械研磨的方法 129 清洗具有接触孔或介层洞的芯片清洗装置与方法 130 制造半导体晶片与载具盘之间附着粘合接点的方法及装置 131 研磨垫片恢复器的结构及其应用 132 用以监控双载子晶体管射极窗蚀刻制程的方法 133 一种强化低介电常数材料层抵抗光阻去除液损害的方法 134 用于离子植入制程的光阻层的去除方法 135 硅半导体晶片及其制造方法 136 记忆晶片卡的制造方法 137 集成电路芯片安装结构以及显示设备 138 电路装置的制造方法 139 半导体装置及其制造方法、电路衬底以及电子仪器 140 用电子束监测工艺条件变化的监测系统和监测方法 141 嵌入式内存测试平台装置及其测试方法 142 自动设定集成电路晶片操作频率的装置及方法 143 在镶嵌制程中形成金属电容器的方法 144 利用镶嵌制程形成金属电容器的方法及其产品 145 金属电容器的构造及其制造方法 146 电容器制程运用于半导体制程的方法 147 半导体装置的制造方法及根据此方法制造的半导体装置 148 利用合并电源线方法产生标准逻辑单元数据库 149 可改善浅沟槽边角薄膜生长均匀性的二氧化硅制造方法 150 在铜内连线上形成选择性保护层的方法 151 半导体设备及其制造方法 152 具有闸极堆叠介电层的半导体内存组件的制作方法 153 一种晶片记忆卡的制造方法 154 具尖角的非挥发性记忆体的制造方法 155 铁电存储器晶体管的制造方法 156 形成具有高电容量与低伏特系数的电容器的方法 157 快擦写内存的遂道氧化膜的制造方法 158 具有散热结构的半导体封装元件 159 用于半导体器件的插座 160 复合材料及其应用 161 一种电力电子功率器件门极装置体 162 具有多个布线层的半导体器件及其制造方法 163 内嵌在集成电路的电磁干扰抵消电路 164 静电放电保护装置 165 半导体芯片,半导体集成电路及选择半导体芯片的方法 166 半导体装置及其制造方法 167 半导体装置及其制造方法 168 能防止产生多次反射的半导体装置及其驱动和设置方法 169 半导体记忆装置 170 具有浮置栅的半导体器件及其制造方法 171 半导体存储器 172 半导体存储装置 173 摄像装置 174 纵向结构的半导体器件 175 场效应型晶体管及制造方法、液晶显示装置及制造方法 176 高基底触发效应的静电放电保护元件结构及其应用电路 177 半导体装置 178 半导体器件 179 光电装置 180 电子点焊工艺在压电陶瓷变压器引线连接上的应用 181 借助于非现场生产的纳米金属粒子进行核酸的敷金属的方法 182 制造设备、制造设备的控制方法、制造设备的控制系统、其中记录有制造设备的控... 183 加强光放出的微发光二极管数组 184 半导体电路布置及其生产方法 185 半导体电路装置及其制造方法 186 太阳能和水的生产装置 187 光学装置和使用该光学装置的机器 188 有利于在有机发光装置中激子的有效利用的系统间过渡剂 189 用于高效聚合物像点电子显示器中的高电阻聚苯胺 190 半导体器件及其制造方法 191 管理衬底加工设备的设备信息的衬底加工系统 192 半导体制造装置的寿命诊断方法 193 一种电容下层储存电极的制作方法 194 在半导体制作过程中通过氘以形成多晶硅层的方法 195 局部形成自对准金属硅化物的方法 196 湿式处理用喷嘴，湿式处理装置及湿式处理方法 197 一种带有导热套管的RF探头 198 多孔性低介电常数材料的制造方法 199 形成牺牲氧化层的方法 200 使用低介电常数膜的半导体装置的制造方法及晶片构造体 201 单芯片式垫氧化层成长方法 202 一种氮化氧化膜的制备方法 203 局部形成自对准金属硅化物的方法 204 局部形成硅化金属层的方法 205 局部形成硅化物金属层的方法 206 局部形成自对准金属硅化物的方法 207 局部形成硅化物金属层的方法 208 计算金属氧化物半导体场效应晶体管门限电压的方法 209 从通孔中除去污斑的方法 210 一种芯片制造方法 211 检视测试区内导电层间电性瑕疵的方法 212 半导体器件及其检查装置 213 保护晶片防备静电击穿的晶片支架 214 一种制作铁电性存取存储器的电容器的方法 215 利用镶嵌制程形成金属电容器的方法及其产品 216 具有电容器的双镶嵌构造及其制造方法 217 一种浅沟槽的形成方法 218 降低浅沟渠隔离侧壁氧化层应力的方法 219 降低浅沟渠隔离侧壁氧化层应力与侵蚀的方法
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