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静态存贮器专利技术工艺06
002 半导体存储器件的读出放大器控制电路 003 存储单元装置及其运行方法 004 具有耦合层的磁性装置以及这种装置的制造与操作方法 005 EEPROM使用的单一晶体管存储单元 006 采用了冗余方式的半导体存储器 007 半导体存储装置 008 存储器刷新系统 009 双倍数据传输速度的DDR SDRAM与SDRAM的共用模块 010 存储设备 011 多值的磁阻写/读存储器以及该存储器的读写方法 012 一种改进的静态随机存取内存及其方法 013 半导体存储器装置及信息处理系统 014 闪速存储卡 015 可编程存储装置及编程方法 016 介层码掩膜只读存储器电路 017 估算存储单元的信息内容的方法和电路布置 018 通用电荷抽样电路 019 存储媒体与游戏装置 020 用于读出具有铁电电容器的存储单元的电路装置 021 具有有效和可靠的冗余处理的半导体存储器件 022 用于运行中固定的软参考层的包围层读－写导体 023 半导体存储器件 024 半导体存储器件 025 选择性多重移位的移位寄存器 026 使用源极偏压执行非挥发性内存单元写入动作的方法 027 半导体存储器件以及在该器件中选择多条字线的方法 028 控制电路和半导体存储器装置 029 半导体存储器装置 030 地址生成电路 031 内容寻址存储器单元 032 高速多路先进先出存储器结构 033 与非门型多阶存储器控制系统 034 闪存多阶编码方法 035 闪存字线追踪跨越全芯片 036 延长贮存在非易失存储器中顺序计数器单元寿命的方法与设备 037 2V/3V低电压读取共射一共基放大器与同时操作闪速内存用的无替代金属不同... 038 跟踪和保持放大器 039 存储装置 040 识别集成电路的方法 041 磁记录元件、磁存储器、磁记录方法、用于制作磁记录元件的方法以及用于制作磁... 042 刷新动态存储器的方法 043 多口存储单元结构 044 多功能串行输入/输出电路 045 可进行稳定的数据读出和数据写入的薄膜磁性体存储器 046 具有动态老化测试功能的单片机及其动态老化测试方法 047 非挥发性铁电内存感测方法 048 利用片上检测放大器标定方法和装置的电阻交叉点存储器 049 具有磁性隧道接合部的薄膜磁体存储装置 050 包含SRAM存储器的集成电路及其测试方法 051 磁阻元件,具有其的存储元件及使用该存储元件的存储器 052 低电电压控制方法和装置 053 低电电压控制方法和装置 054 半导体存储装置中执行部分阵列自更新操作的系统和方法 055 预测闪速存储器擦写时间的方法与装置 056 半导体存储器件及其控制方法 057 磁随机存取存储器中改进性能的最佳写入导体布局 058 用于对磁阻随机存取存储器进行无损耗写入的装置 059 集成存储器及相应的工作方法 060 垂直叠式现场可编程非易失存储器和制造方法 061 半导体集成电路和非易失性存储器元件 062 半导体集成电路,墨水匣以及喷墨记录装置 063 写入禁止电路,使用了该电路的半导体集成电路,具有该半导体集成电路的墨水匣... 064 集成半导体存储器存储单元的功能检测法 065 对磁电阻存储器中单元电阻估值的装置 066 具有存储单元和参考单元的集成存储器及其相应的运行方法 067 用列解码器选择其片状导线的集成的铁电存储器 068 先进先出缓冲器的门槛的调整方法 069 非易失半导体存储装置 070 时钟同步电路 071 非易失性半导体存储装置和非易失性半导体存储系统 072 低功率MRAM存储器阵列 073 半导体存储装置的数据写入方法以及半导体存储装置 074 磁存储器 075 低厚度、高密度的存储器系统 076 多合一矽碟机 077 存储器电路及其输出缓冲器 078 存储器设备与存储器系统 079 磁存储装置 080 能高速读出数据且工作稳定的薄膜磁性体存储装置 081 具有含磁隧道结的存储器单元的薄膜磁存储装置 082 半导体存储器 083 存储器件 084 可延长更新周期的动态随机存取存储器电路 085 半导体存储器件的功率控制方法及半导体存储器件 086 校准方法和存储系统 087 半导体存储装置及其测试方法 088 存储电路 089 包含具有磁隧道结的存储单元的薄膜磁性体存储装置 090 半导体存储器 091 含双晶体存储单元的存储模组 092 选择性存储器刷新电路与刷新方法 093 用于字线升压以最小处理升压字线电压变化的修整方法和系统 094 闪存读取模式用的字线驱动器 095 半导体集成电路以及存储系统 096 多位磁存储单元 097 半导体存储器件 098 用熔丝/抗熔丝和垂直取向熔丝的单位存储单元的一次可编程存储器 099 基于闪存的系统引导装置以及实现引导的方法 100 非挥发性内存的可靠性测试方法与电路 101 非挥发性内存的加速测试方法与电路 102 非挥发性内存的可靠性验证方法与电路 103 温度补偿偏压产生器 104 用于使电阻性阵列中信噪比最大化的方法和结构 105 半导体存储器 106 升压电路 107 装有存储器和逻辑芯片的可测试存储器芯片的半导体器件 108 一种改进的高密度存储单元 109 具有集成嵌入式快闪和SRAM存储器的移动通信装置 110 于EEPROM擦除期间可增进可靠度的减少定电场的方法 111 半导体存储器 112 在多个存储单元间共有存取元件的薄膜磁性体存储器 113 位线控制译码器电路，半导体贮存器件及其数据读出方法 114 内存结构及其所使用的控制器 115 增进感测放大器速度及稳定性的电路及方法 116 高密度存储器读出放大器 117 具有降低的写入速度波动的半导体存储器 118 基于二极管的复用器 119 支持复数种存储芯片的译码转换装置与方法及其应用系统 120 具有数据读出电流调节功能的薄膜磁性体存储器 121 其存储单元具有串联的磁隧道结和隧道结的存储器件 122 通过磁场的施加进行数据写入的薄膜磁性体存储装置 123 输出电路 124 半导体存储装置 125 半导体器件 126 可实现高密度化或高性能化的半导体存储器 127 快速等化的地线电路及传感电路及其方法 128 降低非易失性存储器存储元件间耦合效应的方法 129 能适应多种封装形式的半导体存储装置 130 半导体装置 131 半导体存储器 132 半导体装置 133 半导体存储器 134 半导体装置 135 半导体存储器 136 半导体装置 137 具有备份存储器块的非易失性半导体存储器 138 半导体存储器件 139 单触发信号发生电路 140 磁阻元件、使用其的存储器元件以及相关记录/再现方法 141 半导体存储部件 142 半导体存储器 143 半导体存储器 144 使用非挥发性单元的单个单元可程序切换器 145 总线及I/O焊垫的可程序化为四个状态的内联机元件 146 单个单元可程序切换器 147 控制同步存储器内的脉冲串序列 148 混合阻性交叉点存储单元阵列及其制造方法 149 采用SOI基板的磁存储器及其制造方法 150 半导体存储器件、其控制方法以及半导体器件的控制方法 151 用于控制存储系统中的积极终端电阻的装置及其方法 152 自动化基准单元微调检验 153 产生固态存储器的地址配置的方法 154 通过双向数据写入磁场实施数据写入的薄膜磁体存储装置 155 薄膜磁性体存储器及其信息编程方法 156 半导体存储器 157 容错存储器模块电路 158 电子器件的多维寻址结构 159 闪存的多库同时操作 160 保护电路 161 快速存储器改写电路及改写方法 162 半导体存储器件与冗余判断方法 163 高性能半导体存储设备 164 读出放大器及使用该读出放大器的电子装置 165 高速逻辑先进先出存储器 166 具有冗余结构的薄膜磁性体存储装置 167 磁性随机访问存储器 168 磁随机存取存储器及其读出电路、它的制造方法 169 铁电电容的参考电压产生方法、逻辑判断方式与装置 170 具有测试压缩功能的存储电路 171 强介质存储器及其动作方法 172 半导体存储器件 173 具有奇偶校验单元阵列的存储电路 174 半导体存储装置 175 具有存储器阵列的高密度集成电路 176 根据存取时的存储单元通过电流来读出数据的半导体存储器 177 用于存储阵列中温度变化的写电流补偿 178 磁随机存取存储器及其读出方法 179 存储装置 180 难发生软错误的半导体存储电路 181 包含存储器宏的半导体集成电路 182 使用单一端口随机存取存储器的同时寻址 183 磁随机存取存储器及其制造方法 184 不用基准单元进行数据读出的薄膜磁性体存储器 185 半导体存储器件的刷新控制方法和半导体存储器件 186 半导体存储器件 187 强电介质存储装置及对由强电介质电容器构成的存储单元的操作方法 188 强电介质存储器装置及其驱动方法 189 半导体存储器件 190 现场可编程门阵列硬盘系统 191 非同步FIFO控制器 192 减少了刷新工作时的功耗的半导体存储器 193 时钟同步型半导体存储器 194 具有可调整转换速率的数据输出电路的半导体装置 195 非易失性半导体存储装置的编程方法 196 非易失性半导体存储器件 197 非易失性半导体存储装置 198 非易失性存储器 199 半导体存储装置 200 以低功耗工作的半导体存储器 201 可兼顾两种列地址选通等待时间的工作的半导体存储器 202 半导体存储器件的字线驱动器 203 半导体存储器及其老化筛选方法 204 读出放大电路 205 容短接存储单元的电阻交叉点阵列 206 一种闪存的抹除方法 207 半导体存储装置 208 减少与便携低廉及耐振存储模块的互连数量的方法 209 具备包含有隧道磁阻元件的存储单元的薄膜磁性体存储器 210 静态随机存取器 211 半导体存储器及其数据读出方法 212 移位寄存器及电子装置 213 磁存储器装置 214 在刷新操作过程中读取数据并能纠错的半导体存储器件
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