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发明专利太阳能电池的制作方法 CN201510399084.5
一种太阳能电池的制作方法,包含:形成一太阳能电池包含一光电转换层,具有一受光面和一非受光面、一前电极层设置在所述光电转换层的所述受光面、以及一背电极层设置在所述光电转换层的所述非受光面;利用一量测装置的一量测单元获得所述太阳能电池的多个电压电流特性值;利...
更新:2017-01-18 12:35:18  查阅全文...
发明专利一种太阳能电池的制作方法 CN201510246068.2
本申请公开了一种太阳能电池的制作方法,将制绒后的硅片先进行氧化,在所述硅片表面制备二氧化硅层,然后进行磷扩散。本发明提供的一种太阳能电池的制作方法,能够提高二氧化硅层的均匀性,从而能够减少电池缺陷,提高太阳能电池的转换效率。 专利类型:发明 专利号:201510...
更新:2015-09-06 10:29:16  查阅全文...
发明专利太阳能电池的制作方法 CN201310183555.X
本发明是提供一种太阳能电池的制作方法,其步骤包含提供一半导体基板,此半导体基板上具有一迎光面及一背光面,而迎光面上具有一抗反射层。接着,网印多个第一电极图案于抗反射层上,并烧结第一电极图案。然后,蚀刻部分第一电极,以减少第一电极的宽度,再电镀与第一电极相...
更新:2014-11-27 13:02:08  查阅全文...
发明专利太阳能电池及其制作方法 CN201210435216.1
  本发明提供一种太阳能电池及其制作方法。此方法包括以下步骤:提供太阳能电池基板;以及在太阳能电池基板的相对二个表面上形成正面电极与背面电极。正面电极的形成方法是先进行喷涂处理,以在太阳能电池基板上形成第一金属种子层;然后,在第一金属种子层上形成第二金属...
更新:2014-05-20 14:10:24  查阅全文...
发明专利太阳能电池及其制作方法 CN201310359308.0
  本申请公开了一种太阳能电池,包括衬底、形成于衬底表面的GaInAs基电池膜层以及与GaInAs基电池膜层键合的AlGaInP/(Al)GaInP/GaInNAs(Sb)/GaInNAs(Sb)四结电池膜层。本发明还公开了一种太阳能电池的制作方法。与传统电池相比,本发明集成了GaInAs基电池膜层与AlGaInP/(Al)...
更新:2013-12-10 13:39:12  查阅全文...
发明专利太阳能电池的扩散制结方法、太阳能电池及其制作方法 CN201310373013.9
本发明提供了一种太阳能电池的扩散制结方法、太阳能电池及其制作方法。该扩散制结方法包括:步骤S1.在硅片的表面上生长SiO2层,得到预处理硅片;步骤S2.在预处理硅片的SiO2层上进行磷扩散。本发明在沉积P原子之前,在硅片表面沉积SiO2层,SiO2层就会对发射区起到很好的保护...
更新:2013-12-02 09:57:50  查阅全文...
发明专利一种太阳能电池及其制作方法 CN201310260199.7
本发明公开了一种太阳能电池的制作方法,包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底的背表面形成铝背场和钝化层,其中,所述铝背场包括栅状铝背场和至少一个与所述栅状铝背场垂直的主背场,而所述钝化层位于所述栅状铝背场和主背场的间隙内。本发明提供的太阳能电池的制作方法...
更新:2013-10-14 08:52:23  查阅全文...
发明专利太阳能电池及其制作方法 CN201210236407.5
本发明提供一种太阳能电池及其制作方法。太阳能电池的基底具有重掺杂区与轻掺杂区。阳极与阴极均设置于基底的背面,因此,可增加基底的正面的入光量。阳极与阴极与重掺杂区接触而形成选择性射极结构,因此具有较低的接触电阻。另外,未与电极接触的轻掺杂区具有较低的饱和电...
更新:2012-12-04 10:07:39  查阅全文...
发明专利一种太阳能电池制作方法 CN201210312717.0
本发明技术方案公开了一种太阳能电池的制作方法,所述太阳能电池制作方法在制备太阳能电池时,对硅片进行退火处理后再对所述硅片进行制绒。其中,退火的温度小于所述硅片扩散时的工艺温度。通过所述退火处理,控制退火温度,在不改变硅片内杂质再分布的前提下将硅片中沾污片...
更新:2012-11-27 09:09:57  查阅全文...
发明专利太阳能电池及其制作方法 CN201210165274.7
一种太阳能电池及其制作方法,太阳能电池包括半导体基板以及第一抗反射层。半导体基板具有相对的第一型半导体表面与第二型半导体表面。第一抗反射层包括多个折射凸块以及覆盖层。这些折射凸块设置于第二型半导体表面,其中各折射凸块具有第一折射部与第二折射部。第二折射部...
更新:2012-11-13 08:48:57  查阅全文...
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