太阳能电池及其制作方法 CN201310359308.0

　
本申请公开了一种太阳能电池，包括衬底、形成于衬底表面的GaInAs基电池膜层以及与GaInAs基电池膜层键合的AlGaInP/(Al)GaInP/GaInNAs(Sb)/GaInNAs(Sb)四结电池膜层。本发明还公开了一种太阳能电池的制作方法。与传统电池相比，本发明集成了GaInAs基电池膜层与AlGaInP/(Al)GaInP/GaInNAs(Sb)/GaInNAs(Sb)四结电池膜层，键合后形成的五结高效低成本叠层太阳电池结构跟太阳光谱匹配得更好，从而提升电池的转换效率。
专利号：201310359308.0
专利申请日：2013.08.16
公开（公告）日：2013.12.04
申请（专利权）人：china科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
发明（设计）人：王乃明;郑新和;吴渊渊;甘兴源;王海啸;杨辉
国别省市：江苏;32