太阳能电池的扩散制结方法、太阳能电池及其制作方法 CN201310373013.9

本发明提供了一种太阳能电池的扩散制结方法、太阳能电池及其制作方法。该扩散制结方法包括：步骤S1.在硅片的表面上生长SiO2层，得到预处理硅片；步骤S2.在预处理硅片的SiO2层上进行磷扩散。本发明在沉积P原子之前，在硅片表面沉积SiO2层，SiO2层就会对发射区起到很好的保护作用，降低不活泼磷原子的浓度，进而降低过饱和浅结磷扩所造成的硅表面晶格损伤。并且上述方法简单、易实现，适用于大规模产业化生产。
专利类型：发明
专利号：201310373013.9
专利申请日：2013.08.23
公开（公告）日：2013.11.27
申请（专利权）人：英利能源（china）有限公司
发明（设计）人：胡海波
国别省市：河北;13