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氧化铟锡加工工艺,氧化铟锡生产制造技术专利,氧化铟锡制备方法

1、一种氧化铟锡薄膜图案的制备方法
2、一种氧化铟锡蒸镀靶材的制备方法
3、氧化铟锡膜层稳定化处理方法及设备
4、氧化铟锡钽靶材的制备方法
5、用于与焊盘的欧姆接触的氧化铟锡(ITO)层的片上集成
6、ITO靶材高纯纳米氧化铟锡粉体制造方法
7、基于近零介电常数氧化铟锡的可调双控光开关及使用方法
8、氧化铟锡层的蚀刻方法、芯片的制作方法
9、一种超级电容器用氧化锡锑/氧化钬/氧化铟锡复合电极材料及其制备方法
10、一种纳米氧化铟锡超隔热PVB中间膜材料及其制备方法
11、一种利用ITO废料制备氧化铟粉和氧化铟锡粉的方法
12、一种氧化铟锡薄膜热处理及其评价方法
13、一种制备多孔空心球状氧化铟锡粉体的方法
14、制备晶面择优取向氧化铟锡-氧化铟锌薄膜热电偶的方法
15、一种基于颗粒级配堆积模型制备氧化铟锡靶材的方法
16、一种基于氧化铟锡准周期结构的超材料吸收器
17、一种氧化铟锡粉及其制备方法
18、氧化铟锡纳米线及其制备方法和薄膜晶体管
19、制备晶面择优取向氧化铟锡-氧化铟薄膜热电偶的方法
20、竹节状纳米氧化铟锡粉体的制备方法
21、一种钯/聚苯胺/氧化铟锡复合电极及其制备方法及应用
22、一种石墨烯-氧化铟锡纳米纤维复合三维体块的制备方法
23、不包含磷酸盐的氧化铟锡/银多层膜蚀刻液组合物
24、一种基于氧化铟锡薄膜与硅纳米颗粒阵列复合结构的全光开关及其制备方法
25、一种ITO刻蚀废液中氧化铟锡和废酸的回收方法
26、一种氧化铟锡/垂直石墨烯光电探测器复合结构及其制备方法
27、一种柔性氧化铟锡透明导电薄膜卷对卷湿法刻蚀及图案化的方法
28、一种用于处理氧化铟锡电极表面的简单高效的方法
29、一种环形氧化铟锡电极的石英晶体微天平
30、一种硫化铅敏化氧化铟锡光电*极的简单制备方法
31、一种修饰氧化铟锡电极表面的方法
32、一种氧化铟锡刻蚀废液处理装置
33、氧化铟锡靶材的超低温制备方法
34、氧化铟锡膜层结构的触摸屏及终端设备
35、一种检测氧化铟锡薄膜关键尺寸的装置
36、一种稀土掺杂纳米氧化铟锡红外隐身涂层
37、低电阻率氧化铟锡靶材的制备方法
38、一种用于回收废弃彩色滤光片中氧化铟锡的装置
39、低结瘤氧化铟锡靶材的制备方法
40、一种高密度氧化铟锡管状靶材的脱脂烧结一体化制备方法
41、氧化铟锡靶材的制备方法
42、四氧化三钴纳米片/氧化铟锡电极电化学检测Pb(II)的方法
43、一种氧化铟锡透明隔热涂料的制备方法
44、一种氧化铟锡靶材的短流程烧结工艺
45、一种调控氧化铟锡表面能与功函数的含氟自组装单层膜及制备方法
46、树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极的制备
47、树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极应用于电化学识别色氨酸对映体
48、一种氧化铟锡旋转靶材的烧结方法
49、一种纳米氧化铟锡隔热玻璃涂料的制备方法
50、一种氧化铟锡烧结体的短流程制备工艺
51、采用氧化铟锡作为插入层的反射镜及其制备方法
52、一种氧化铟锡纳米粉体的制备方法
53、一种氧化铟锡复合粉体的制备方法
54、一种超细氧化铟锡粉加工工艺
55、一种从氧化铟锡回收无水铟盐和无水锡盐的方法
56、一种高纯、高烧结活性氧化铟锡混合粉体的制备方法
57、基于氧化铟锡光纤型偏振无关的吸收型电光调制器
58、一种重复激光熔覆制备高密度氧化铟锡靶材的方法
59、一种修饰氧化铟锡阳极
60、纳米级氧化铟锡粉体的共沉淀制备方法
61、氧化铟锡薄膜及其制备方法、含其的阵列基板、显示装置
62、一种氧化铟锡改性高分散透光红外硫化锌的制备方法
63、一种氧化铟锡改性硫化锌导电材料的制备方法
64、一种修饰氧化铟锡阳极的制备方法
65、非晶氧化铟锡薄膜的制备方法
66、一种修饰氧化铟锡阳极
67、一种有序硅纳米孔道薄膜/氧化铟锡电极电化学检测铅离子的方法
68、水性聚氨酯基氧化铟锡蚀刻油墨的制备方法
69、具有多聚氨基酸复合氧化铟锡纳米结构的宽光谱光探测器
70、一种氧化铟锡包覆的二氧化钛纳米纤维的制备方法
71、一种氧化铟锡导电玻璃上图案化磷脂膜阵列的制备方法
72、高相对密度低电阻率氧化铟锡靶材的制备方法
73、一种纳米级氧化铟锡粉末的制备方法
74、一种具有形状记忆效应的无氧化铟锡柔性有机发光二极管的制备方法
75、一种氧化铟锡粉末的制备方法
76、基于石墨烯与氧化铟锡薄膜的透明电磁屏蔽盒
77、一种降低氧化铟锡/金属电极对有机激光增益层产生的光损耗的方法
78、一种具有形状记忆效应的无氧化铟锡聚合物太阳能电池的制备方法
79、氧化铟锡电化学发光反应电极的再生清洗方法
80、一种膜电容器用掺混纳米氧化铟锡的高介电聚丙烯基复合介电薄膜及其制备方法
81、一种掺混纳米氧化铟锡的高导电性电机碳刷材料及其制备方法
82、氧化铟锡镀膜方法
83、一种掺杂氧化铟锡秸秆基炭复合电极材料及其制备方法
84、一种纳米二氧化硅液体改性氧化铟锡制备高透明聚酯薄膜的方法
85、氧化铟锡电化学发光反应电极的修饰方法
86、氧化铟锡图案化装置及图案化方法
87、一种多级氧化铟锡纳米线阵列复合材料及其制备方法与在太阳能电池中的应用
88、一种氧化铟锡膜手持式探头测试装置及其方法
89、氧化铟锡材料化学成分标准物质的制备方法
90、一种高性能透明导电氧化铟锡纳米晶墨水及其制备方法
91、一种蓝色纳米氧化铟锡粉体的制备方法
92、一种低成本制作单层氧化铟锡膜材互电容触摸屏功能片的方法
93、选择性氧化铟锡蚀刻液
94、氧化铟锡低温沉积方法及系统
95、双面消影氧化铟锡磁控溅射镀膜生产线
96、一种窗口层覆盖有氧化铟锡的反极性AlGaInP发光二极管结构
97、氧化铟锡低温镀膜方法
98、氧化铟锡靶材以及其烧结制备方法
99、氧化铟锡/富勒烯/二氧化钛纳米管复合材料的制备方法
100、低温沉积柔性晶态氧化铟锡透明导电薄膜的制备方法
101、氧化铟锡层的形成
102、制备纳米纤维和纳米八面体双级结构的氧化铟锡的方法
103、氧化铟锡粉末
104、一种尺寸可控的单分散氧化铟锡纳米晶的制备方法、产品及应用
105、一种修饰氧化铟锡阳极的制备方法
106、一种制备双晶氧化铟锡纳米线的方法
107、用于氧化铟锡层的涂层
108、一种氧化铟锡纳米颗粒粉体的低温固相制备方法
109、通过锡和锌共掺杂制备低铟含量氧化铟锡薄膜的方法
110、一种制备新型导电氧化铟锡材料及其薄膜的方法
111、一种氧化铟锡纳米晶的制备方法
112、一种氧化铟锡纳米线阵列复合材料及其制备方法与在太阳能电池中的应用
113、氧化铟锡图案曝光装置
114、一种修饰氧化铟锡阳极
115、一种镀铜氧化铟锡膜蚀刻工艺
116、一种氧化铟锡包覆的二氧化钛纳米纤维
117、制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法
118、用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏
119、一种制备导电氧化铟锡锌薄膜的方法
120、一种氧化铟锡包覆的二氧化钛纳米纤维的制备方法
121、彩色滤光片基板及其氧化铟锡薄膜图案结构、制作方法、液晶显示器
122、一种氧化铟锡旋转靶材的制备方法
123、一种修饰氧化铟锡阳极的制备方法
124、一种基于金纳米颗粒修饰氧化铟锡电极的用于三聚氰胺检测的新型电化学传感器制备方法
125、电容屏触控面板及其间隙部分氧化铟锡薄膜的刻蚀方法
126、一种氧化铟锡透明导电氧化物薄膜的制备方法
127、氧化铟锡化合物及其制备方法与光催化应用
128、一种氧化铟锡薄膜的处理工艺
129、电阻式触摸屏用氧化铟锡膜及其制备方法和制备设备
130、利用电化学技术实现氧化铟锡表面快速腐蚀和图案化的方法
131、一种制备有序介孔氧化铟锡材料的方法
132、一种提高氧化铟锡透明导电膜表面功函数的表面修饰方法
133、氧化铟锡纳米纤维/硫化镉量子点太阳能电池及其制备方法
134、一种纳米级氧化铟锡粉末的制备方法
135、一种氧化铟锡纳米涂层的制备方法
136、一种利用氧化铟锡纳米颗粒增效的近红外光电探测器
137、一种镀氧化铟锡的涤纶异形纤维的生产方法
138、氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法
139、一种纳米氧化铟锡粉的制备方法
140、氧化铟锡的回收方法
141、氧化铟锡膜及其制作方法
142、一种高密度氧化铟锡靶材的制备方法
143、氧化铟锡溅射靶和使用该溅射靶制备的透明导电膜
144、改善液晶显示产品氧化铟锡膜表面形貌的方法
145、氧化铟锡靶材浆料的制备方法
146、一种在氧化铟锡玻璃基板上形成铬铝铬金属走线的方法
147、一种低温下制备小尺寸氧化铟锡纳米线材料的方法
148、氧化铟锡层的形成
149、氧化铟锡单分散纳米粉体的低温溶剂热制备方法
150、氧化铟锡透明导电薄膜的制备方法
151、氧化铟锡立体电极及制法及制备装置及太阳能电池制法
152、氧化铟锡粉末及其分散体
153、氧化铟锡电子束光刻胶的合成方法和使用其形成氧化铟锡图案的方法
154、一种在柔性基材上制备氧化铟锡导电膜的生产工艺
155、柔性衬底上室温溅射沉积氧化铟锡透明导电薄膜的方法
156、一种氧化铟锡靶材的生产方法
157、用于氧化铟锡表面的化学机械抛光的组合物及方法
158、氧化铟锡超细粉体的低温制备方法
159、图案化氧化铟锡薄膜的方法
160、一种液相共沉淀生产超细氧化铟锡粉体的方法
161、具有氧化铟锡层的发光二极管及其制造方法
162、一种形成用于可精密切割和对齐的液晶显示器面板的方法
163、氧化铟锡透明导电玻璃及其生产工艺
164、表面改性的氧化铟锡
165、纳米级氧化铟锡复合粉体的制备方法
166、热稳定型及低电阻比氧化铟锡膜制法
167、一种氧化铟锡专用银浆料及其制造方法
168、在红外波段具有低发射率的氧化铟锡粉末及其制备方法
169、氧化铟锡粉末的制备方法
170、增进平坦化氧化铟锡薄膜的方法
171、使集成电路可承受高压静电放电的氧化铟锡走线方法
172、以水溶液法制备氧化铟锡粉末的方法
173、氧化铟锡膜用浸蚀液
174、金属氧化铟锡复合透明导电薄膜及其制备方法


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