1 021110196.2 减少等离子体工艺所致微粒物质污染的方法与装置
2 091110220.9 高高宽比开口的蚀刻方法
3 041112321.4 一种内金属介电层结构及其形成方法
4 061110194.6 一种具有牺牲型填充柱的自行对准接触方法
5 021110215.2 双重金属镶嵌结构的制造方法
6 081110212.8 分离栅极式闪存的制造方法
7 081110193.8 自我对准分离式栅极非挥发性存储单元及其制造方法
8 001110197.0 一种叠层栅快闪存储单元及其制造方法
9 061110213.6 快闪参考存储单元的制造方法
10 091110430.9 凹陷型堆栈电容与其接触插塞及其制造方法
11 090814181.9 制造具有减反射膜的半导体存储装置的方法
12 129814159.3 带凹槽栅极的晶体管
13 010808385.1 沉积的薄膜空隙－柱网络材料
14 010812842.1 用于旋转蚀刻平面化的组合物与方法
15 081116172.8 基因载体的制造方法及利用该基因载体的测试方法
16 002118035.0 金属表面处理剂、金属表面处理方法及表面处理金属材料
17 072116014.7 含镍三氯化铁蚀刻废液的除镍方法
18 042112250.4 基于多个子光栅的平顶型蚀刻衍射光栅波分复用器件
19 062120105.6 主载体的清洁方法
20 041115722.4 高分子基电路保护装置及其制法
21 001119739.0 清洗半导体晶片的方法及其所采用的清洗系统
22 012120360.1 半导体装置的制造方法
23 082106574.8 蚀刻方法与蚀刻装置
24 012118172.1 半导体装置及其制备方法
25 021109789.2 浅凹槽隔离结构的制造方法
26 052124339.5 有机发光材料薄膜晶体管液晶显示器的结构及其制造方法
27 052119271.5 采用湿蚀刻的电子部件的制造方法
28 051116070.5 下埋式微细金属连线的制造方法
29 051117669.5 接触垫的制作方法
30 081119234.8 形成半导体金属内连线的方法
31 011116072.1 形成非挥发性记忆体的方法
32 081118116.8 单一晶体非挥发性记忆体元件的制法
33 031119231.3 分离式栅极结构的电可擦可编程只读存储器的制造方法
34 021117696.2 降低等离子损害的导流电路及半导体制造方法
35 081802096.8 制造具有测试微球体集成电路用的多个接触尖端的卡的方法及利用该卡的测试装置
36 041801954.4 磁性元件的制造方法
37 021802037.2 用于半导体生产设备的净化气
38 061116965.6 喷墨头芯片制造方法
39 002106542.X 制作悬式微结构的方法
40 062121710.6 用于饰纹树脂材料及去污和清除树脂材料的溶胀剂
41 052119111.5 构图铟锡氧化物的蚀刻剂和制造液晶显示装置的方法
42 001115909.X 无线移动通讯终端机透明天线及其制作方法
43 010812811.1 具有减轻的击穿现象的沟道型双扩散金属氧化物半导体晶体管
44 080815128.8 用于快擦写内存源极/漏极的固态源掺杂
45 040802463.4 利用绝缘衬垫防止窄器件中的阈值电压的滚降
46 041801596.4 电子器件制造
47 011801916.1 附载箔的复合铜箔、带电阻电路的印刷电路板的制造方法、和带电阻电路的印刷电...
48 010815451.1 非铁金属/铁磁金属叠层的图版工艺印模及其制造方法
49 000815323.X 在玻璃膜上形成高高宽比图案的方法
50 060815311.6 在双重镶嵌方法中的低介电常数的阻蚀刻层
51 001120602.0 导光板及其模仁的制造方法
52 072128597.7 覆晶接合结构与形成方法
53 071120411.7 浅沟渠隔离结构的制造方法
54 051120412.5 浅沟渠隔离结构的制造方法
55 042122700.4 嵌入式存储器的接触插塞的制作方法
56 011136211.1 抑制存储器阵列位线间漏电的方法
57 082141292.8 电路板及其制作方法和高输出模块
58 042141294.4 电路板及其制作方法和高输出模块
59 001137433.0 半导体器件的制造方法
60 002124708.0 制作滤光片的方法
61 001120616.0 发光二极管的封装
62 092124323.9 使用晶体振子的荷重传感器
63 031121481.3 液晶显示器面板的制造方法
64 062121836.6 基板处理装置
65 042121837.4 基板处理装置
66 081118679.8 防止介层窗过度蚀刻的方法及其构造
67 011118680.1 具有金属间隙壁的内连导线结构及其制作方法
68 081118682.8 具有双层介电质间隙壁的内连导线结构及其制作方法
69 042123054.4 电子装置及其制造方法
70 052124308.5 用于宽间隙基片接合的多层集成电路
71 022124478.2 高分辨率焊接凸块形成方法
72 002124479.0 高分辨率焊接凸块形成方法
73 082136318.8 刀模的制造方法
74 072124372.7 微隅角棱镜阵列、制造它的方法以及反射型显示装置
75 042123152.4 电路装置的制造方法
76 022123153.2 电路装置的制造方法
77 032123158.3 电路装置的制造方法
78 041118829.4 改善浅沟槽隔离区的漏电流和崩溃电压的方法
79 081118830.8 消除浅沟槽隔离区的漏电流的方法
80 061118828.6 镶嵌式内连线结构的制造方法
81 091129267.9 在有纤基板上形成高密度超细线路的方法
82 002125163.0 铟锡氧化膜的制造方法
83 032140252.3 在去光阻制程中避免低介电常数介电层劣化的方法
84 082124461.8 灰化装置,灰化方法及用于制造半导体器件的方法
85 012140253.1 避免低介电常数介电层劣化的方法
86 002140318.X 改善多孔性低介电薄膜吸水性的方法
87 012141211.1 利用一非对称光限制孔控制偏振的VCSELS
88 002121655.X 基板处理方法及装置
89 031118337.3 介电层的蚀刻制程
90 021120811.2 平面显示器制造方法
91 071804293.7 湿法蚀刻剂组合物
92 000816088.0X 射线变焦镜头
93 012140706.1 半导体器件制造方法及处理液
94 082130504.8 集成电路的内建电感及利用深沟渠阻断寄生电流的结构
95 001122794.X 形成具有抗蚀刻效应的光阻的方法
96 001123712.0 快擦写存储单元浮置栅极的制造方法
97 061120689.6 利用化学干蚀刻形成圆弧化边角的方法
98 011124401.1 制作电绝缘层的方法
99 062127815.6 金属薄膜干蚀刻的后处理方法及蚀刻与去光阻的整合系统
100 012141824.1 蚀刻法及蚀刻液
101 062106771.6 MOS晶体管及其制造方法
102 071123454.7 快闪存储器位线上的电性绝缘层的制造方法
103 040808764.4 利用磁组件蚀刻薄荫罩的方法
104 050816239.5 硅双极晶体管的制造方法
105 020816204.2 制造有机发光装置的方法
106 012127275.1 具有流体通道的基片和制造方法
107 081123817.8 具立体花纹模具的制法
108 031125076.3 可去除蚀刻制程后的残留聚合物及降低氧化物损失的方法
109 082127232.8 肖特基势垒二极管的制造方法
110 051123813.5 检测接触窗蚀刻结果的方法
111 071125074.7 利用有机材质形成金属硅化物保护电路的方法
112 051125089.5 形成金属-绝缘层-金属电容器的方法
113 071123812.7 浅槽隔离结构的形成方法
114 011125077.1 浅沟槽隔离的形成方法
115 071125088.7 形成浅沟渠隔离的方法
116 071125091.7 避免于内存组件形成多晶硅纵梁的方法
117 002127231.X 肖特基势垒二极管及其制造方法
118 062127233.6 肖特基势垒二极管及其制造方法
119 062127068.6 电触点的制造方法
120 042127069.4 电触点的制造方法
121 081804978.8 应用多束激光束的工件加工方法
122 011805044.1 电元件的封装和制造方法
123 022128577.2 液体喷出头的制造方法、液体喷出头用基板及基板的加工方法
124 012128636.1 光学模件及其制造方法
125 052142050.5 具有埋置式结构的基片、包括该基片的显示器件、制造该基片的方法和制造显示器...
126 012130208.1 整合高压元件制程的形成高阻值电阻的方法
127 072126848.7 用以监控双载子晶体管射极窗蚀刻制程的方法
128 021126057.2 一种强化低介电常数材料层抵抗光阻去除液损害的方法
129 092130218.9 用于离子植入制程的光阻层的去除方法
130 011130733.1 在镶嵌制程中形成金属电容器的方法
131 072100315.7 利用镶嵌制程形成金属电容器的方法及其产品
132 062128673.6 半导体装置的制造方法及根据此方法制造的半导体装置
133 001124990.0 具有闸极堆叠介电层的半导体内存组件的制作方法
134 041124291.4 具尖角的非挥发性记忆体的制造方法
135 022144391.2 半导体激光元件
136 080816330.8 用于聚合物防反射涂料的非芳族发色团
137 061131160.6 压电式喷墨头的喷墨装置及其制造方法
138 042143224.4 一种电容下层储存电极的制作方法
139 001132659.X 局部形成硅化金属层的方法
140 002131805.0 从通孔中除去污斑的方法
141 001132905.X 一种制作铁电性存取存储器的电容器的方法
142 012106992.1 具有电容器的双镶嵌构造及其制造方法
143 001132667.0 一种浅沟槽的形成方法
144 051131054.5 镶嵌式内连线结构的制造方法
145 031131055.3 镶嵌式内连线的制造方法
146 052126852.5 增加低介电层涂布能力的方法
147 052140721.5 一种无突出物形成的双镶嵌制程的湿式清洗方法
148 032130207.3 相位光栅图像传感器的制造方法
149 002132249.X 用于形成第Ⅲ主族氮化物半导体层的方法以及半导体器件
150 011130862.1 利用实心铜柱互连导通的印刷电路板的制作方法
151 061805193.6 蚀刻方法
152 071805332.7 磁致电阻效应元件的制造方法和磁致电阻效应型磁头的制造方法
153 011140694.1 薄膜晶体管液晶显示器及其制造方法
154 062131931.6 一种主动光学接近修正法
155 072125134.7 利用离心力干燥晶片的防吸附方法和设备
156 012128295.1 应用于约束等离子体反应室的半导体双镶嵌蚀刻制作过程
157 071124118.7 等离子体蚀刻气体
158 071140819.7 蚀刻多晶硅层以形成多晶硅闸极的方法
159 092130235.9 利用等离子体约束装置的等离子体蚀刻装置
160 021133185.2 一种修复低介电常数材料层的方法
161 081133182.8 薄膜晶体管平面显示器的制造方法
162 002147141.X 复合高密度构装基板与其形成方法
163 011141750.1 应用硅过饱和氧化层的双镶嵌制程及其构造
164 072107409.7 在镶嵌制程中形成金属电容器的方法及其产品
165 012141693.1 转接通道
166 061805713.6 柔性模具及其制造方法
167 031805706.3 叠层衬底、电子部件的制造方法及叠层电子部件
168 091127812.9 一种金属表面制作彩色图片的方法
169 021131064.2 含由苯醌-环戊二烯加成物衍生的官能团的树脂化合物及含此化合物的光阻剂组成...
170 022142219.2 光刻胶组合物
171 072108303.7 抗蚀剂和蚀刻副产品除去组合物及使用该组合物除去抗蚀剂的方法
172 032141496.3 制造半导体器件的方法
173 042131607.4 半导体装置及其制造方法
174 062141455.6 肖特基势垒二极管及其制造方法
175 042141456.4 肖特基势垒二极管及其制造方法
176 022141457.2 肖特基势垒二极管及其制造方法
177 072131970.7 GaP系半导体发光组件
178 041130883.4 印刷电路板的微孔制作方法
179 091805961.9 细微构造体的精密加工方法
180 051805980.5 具有金属-绝缘体-金属电容器的集成元件
181 041131354.4 压电式喷墨打印头及其制造方法
182 002125972.0 喷蚀刻法
183 022143533.2 绝缘用树脂组合物及使用该组合物的层合体
184 022152913.2 粘结性改进和直接金属化的复合方法
185 002143744.0 半导体器件及其制造方法
186 041135386.4 防止金属导线间短路的方法
187 081141427.8 印刷电路板的防焊方法
188 030817182.3 氮化镓层在蓝宝石基体上的悬挂外延生长
189 021141691.2 压电式喷墨晶片的成型方法
190 062144050.6 无残留物双层微影方法
191 002153447.0 重离子微孔防伪膜的制造方法
192 092143261.9 半导体装置用衬底的制造方法及半导体装置用衬底
193 092144071.9 掩模图形制成方法及半导体装置的制造方法
194 081141914.8 一种用于制造半导体组件的干式蚀刻方法
195 042106299.4 制造具有碳化硅膜的半导体器件的方法
196 020817448.2 清洗和调理等离子体反应腔体的方法
197 010817250.1 制作集成光路的方法
198 080817395.8 粗蚀刻硅太阳能电池的工艺
199 091121301.9 薄膜晶体管液晶显示器的制作方法
200 012113084.1 横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法
201 062121528.6 涂层的处理方法及利用该方法制造半导体器件的方法
202 001141515.0 板式磁阻感测片元件的制造方法
203 091136266.9 用电脑刻绘光固化技术蚀刻贝壳海螺的方法
204 081136227.8 用电脑刻绘光固化技术蚀刻玻璃的方法
205 071136477.7 陶瓷遮罩在IC制备过程的应用
206 051136478.5 金属遮罩在IC制备过程的应用
207 001135822.X 形成金属硅化物的方法
208 041141673.4 脱氧核醣核酸逻辑集成电路的制造方法
209 052146325.5 半导体装置的制造方法
210 092146502.9 半导体装置的制造方法及半导体装置
211 062141293.6 电路板及其制作方法和高输出模块
