1 091136428.9 具沟渠源极线的快闪记忆体及其制作方法
2 081134056.8 脊形波导式半导体激光器件及其制作方法
3 032143569.3 薄膜,平面型声音变换器以及平面型薄膜
4 000817712.0 制备Ⅲ族氮化物半导体的方法及Ⅲ族氮化物半导体器件
5 070817714.7 制备III族氮化物半导体的方法及III族氮化物半导体器件
6 062106804.6 氟酸的供给方法
7 012124909.1 蚀刻的方法
8 081129598.8 一种浅沟道隔离结构的制造方法
9 071129593.7 双重金属镶嵌结构的制造方法
10 061129621.6 制作高温超导滤波器接触电极的方法
11 002106404.0 包括聚酰亚胺层的叠层组件的蚀刻方法
12 081803460.8 用于半导体蚀刻室的内衬
13 031136692.3 蚀刻反应室动态微尘污染状态检测方法
14 032146360.3 半导体装置的制造方法
15 081136793.8 具有分离式浮栅的闪存的制造方法及其结构
16 042156894.4 掩膜法制作高温超导滤波器接触电极的方法
17 020818082.2 消除隔离沟槽拐角晶体管器件的间隔层工艺
18 041119303.4 具有载体的转印式铜箔制造方法
19 091141399.9 具有载体的转印背胶式铜箔制造方法
20 072147067.7 具有贯通孔的构造体、其制造方法、及液体排出头
21 032147153.3 具有贯通孔的结构体、其制造方法及液体排出头
22 021137740.2 同平面切换模式液晶显示单元的制造方法
23 032145483.3 无电弧高分子PTC热敏电阻器及其制造方法
24 062132108.6 用于使小片与笔体附接的微机械加工的硅互锁结构
25 012152161.1 复印／传真／打印机铝型材配件化学纹理蚀刻的方法
26 091131388.9 减小图案间隙或开口尺寸的方法
27 062105801.6 磁电阻传感器及其制造方法
28 041137817.4 一种浅沟绝缘制程方法
29 062145358.6 消除双层嵌入结构的铜侵蚀的方法
30 061806859.6 离子传导陶瓷膜及表面处理
31 041806877.4 利用高温去光阻以形成高品质的多重厚度氧化物层的方法
32 092159976.9 核微孔防伪标识的制作方法
33 001134774.0 减少微粒产生的方法
34 042118470.4 薄膜整体声共振器的制造
35 041807088.4 用于生产光栅结构、光学元件、瞬逝场传感器板、微滴定度板及用于通讯技术的光...
36 001806969.X 减少去除光阻所致缺点形成高品质多厚度氧化物层的方法
37 062152729.6 荫罩板用铁-镍系和铁-镍-钴系合金条
38 072159350.7 低回损蚀刻衍射光栅波分复用器
39 002123171.0 双层光刻过程
40 041130382.4 一种氧掺杂硅碳化合物蚀刻停止层
41 021130383.2 低阻值晶体管元件的制作方法
42 002150242.0 晶片及评价其载体浓度的方法
43 071130310.7 一种双位元快速存储器结构及其制造方法
44 002141153.0 静态随机存储器的制造方法
45 001138534.0 一种嵌入式存储器的制作方法
46 021136183.2 薄膜晶体管阵列基板的制造方法及其结构
47 011806324.1 非挥发性内存装置用的双重间隔器方法
48 010816129.1 燃料电池和电源片技术
49 071129982.7 金属基体表面阳极处理方法
50 062140130.6 叠合标记及其应用方法
51 031140032.3 阶梯式开口的制造方法
52 012160227.1 蚀刻液
53 052148236.5 具有埋入偷嫉绮愕陌氲继迤骷?捌渲圃旆椒?lt;BR>54 062155744.6 光致抗蚀剂残渣除去液组合物
55 031142993.3 形成具有高深宽比的沟槽的蚀刻方法
56 092141154.9 金氧半导体晶体管的制造方法
57 001142964.X 局部形成硅化金属层的方法
58 062119925.6 半导体器件及其制造方法
59 072154746.7 平面单元存储元件的硅化物膜制造方法
60 060818452.6 光电子组件中的对准方法
61 010818382.1 具有动态气体分布控制的等离子体加工系统
62 060818435.6 用于多种处理的立式配置腔室
63 050818573.5 自对准的混合工艺和元件
64 010818639.1 闪存技术和LOCOS/STI隔离的氮化隧道氧化物的氮化障壁
65 043100433.4 光电集成加速度地震检波器
66 042155731.4 用于制造半导体功率器件的方法
67 061808708.6 用于无机表面的蚀刻糊
68 021808503.2 改善蚀刻多晶硅的均匀性和减少其蚀刻速率变化的方法
69 081808741.8 具有低介电膜的半导体器件及其制造方法
70 051143334.5 喷射头结构及其制造方法
71 092155295.9 制作硅晶液晶显示背板的方法
72 002155515.X 微型显示器像素单元及其制作方法
73 022128188.2 半导体制造装置及半导体元件制造方法
74 092155250.9 金属内连线的制作方法
75 021143795.2 制作非挥发性存储元件的方法
76 072144024.7 在低K互连上集成电线焊接的熔丝结构及其制造方法
77 031143769.3 具有阶梯式高密度互连结构的印刷电路板的制造方法
78 081808870.8 光器件
79 042157530.4 制造硅单晶所用的晶种及制造硅单晶的方法
80 002157023.X 电气双层电容器及其制造方法
81 081144814.8 去除焊垫窗口蚀刻后残留聚合物的方法
82 002158978.X 基底铜层的磨光方法
83 031144775.3 浅沟渠隔离的制造方法
84 001144732.X 内连线的形成方法
85 031143416.3 氮化硅内存的制造方法
86 062158482.6 晶体管形成方法
87 072155900.7 制造闪存单元的方法
88 042158452.4 掩膜只读存储器的制造方法
89 071144661.7 功率金属氧化物半导体场效晶体管装置及其制造方法
90 001809636.0 用于高锰酸盐蚀刻液电化学再生的阴极
91 041809469.4 曝光控制光掩模及其形成方法
92 051809396.5 调整等离子体加工系统中电极厚度的方法
93 091809427.9 用于在碳化硅中形成通孔的方法以及所获得的器件和电路
94 081809470.8 用于制造Ⅲ族氮化物系化合物半导体的方法以及Ⅲ族氮化物系化合物半导体器件
95 011809479.1 Ⅲ族氮化物系化合物半导体器件及其制造方法
96 071809509.7 处理装置及其维护方法、处理装置部件的装配机构及其装配方法、锁定机构及其锁...
97 011809336.1 制造电极的蚀刻方法
98 061145141.6 在溅镀蚀刻工艺中监控蚀刻腔体内离子浓度的方法及装置
99 072143830.7 检测图案缺陷过程的方法
100 022159828.2 半导体器件内形成铜引线的方法
101 051145049.5 非挥发性存储器结构及其制造方法
102 091145050.9 一种高耦合率快闪存储器及其制造方法
103 071810045.7 锌/空气电池
104 073112829.7 触摸屏的贴合方法改良
105 092101821.9 形成微细尺寸结构的方法
106 052101627.5 芯片及其制造方法
107 002100957.0 利用非等向性湿蚀刻法来进行平坦化的方法
108 002132204.X 金属镶嵌制程的去除光阻的方法
109 092101544.9 复晶矽/复晶矽电容的制造方法
110 072101545.7 复晶矽/复晶矽电容的制造方法
111 022101704.2 浅沟槽隔离物的制造方法
112 082101553.8 高密度平坦单元型的罩幕式只读存储器制造方法
113 052142498.5 掩模及其制造方法、场致发光装置及其制造方法以及电子机器
114 073101099.7 金属箔基叠层产品及其制造方法
115 022141023.2 在低介电常数材料层中形成开口的方法
116 082101715.8 具螺旋布置金属电极的氮化物发光二极管及其制造方法
117 062154299.6 电磁波屏蔽用片
118 030818767.3 压力控制方法
119 020805123.2 在栅极蚀刻处理后用湿式化学方法去除氧氮化硅材料
120 090818330.9 半导体器件,用于在半导体上制造电路的金属叠层板和制造电路的方法
121 001807636.X 具有窗口盖的、无引线的半导体产品封装装置及其封装方法
122 062102588.6 以晶圆片制造电子芯片元件的包装方法
123 003106907.X 一种应变计基材及其制造方法
124 042102365.4 晶片保护装置
125 002144045.X 自生长疏水性纳米分子有机防扩散膜及其制备方法
126 012155576.1 提高起始电压稳定性的金属氧化物半导体的制作方法
127 082155290.8 双镶嵌金属内连线结构及其制作方法
128 032114783.3 多层堆叠线路电路板及其制造方法
129 082102489.8 内嵌有膜状电阻元件的层叠式多层电路板制造方法
130 021810235.2 光刻胶去除剂混合物
131 090819168.9 除去剩余光致抗蚀剂和残留侧壁钝化物的原位后蚀刻方法
132 012103154.1 化学机械研磨的监控测量方法
133 012102554.1 喷墨印表头的软性电路板的结构与制作方法
134 032127582.3 液体喷射器件的基底及其成形方法
135 003119706.X 亚光立体图案玻璃的生产方法
136 013103150.1 利用间隔体技术的纳米尺寸压印模
137 053103470.5 埋置绝缘体型半导体碳化硅衬底的制作方法和制作装置
138 012103140.1 非挥发性内存的结构及其制造方法
139 072103165.7 选择性局部自行对准硅化物的制作方法
140 091811128.9 平行且选择性地分散微滴的高效系统
141 071810918.7 形成方法以及包含增强表面面积导电层的集成电路结构
142 002103423.0 有机底部抗反射涂布层的蚀刻方法
143 022103498.2 微探针制造方法
144 042103189.4 在同一蚀刻室进行介层窗蚀刻的方法
145 002156454.X 制作金氧半导体晶体管的方法
146 002103521.0 晶片级封装的结构及其制作方法
147 052103085.5 可避免氟化半导体元件的金属接点的方法
148 042103192.4 平顶金凸块的制程方法
149 012103509.1 形成隔离装置的方法
150 082104615.8 促进快闪式存储器性能的方法
151 002103499.0 堆栈闸极快闪存储装置的制造方法
152 042103516.4 分离闸极快闪存储器的制造方法
153 092152753.9 用于光学复用器/解复用器的薄膜滤波器
154 042140016.4 半导体元件微细图形的形成方法
155 092105013.9 一种去除停止层的方法
156 062140015.6 半导体元件的短沟道晶体管的制造方法
157 003102971.X 消除浅沟槽隔离中的边沟的方法
158 002105018.X 具掺杂的铜内联结构的制造方法
159 061811690.6 基于近红外分光计控制金属层蚀刻过程及再生用于金属层蚀刻过程的腐蚀剂的方法
160 081811722.8 具有电镀电阻器的印刷电路板的制造方法
161 052147250.5 半导体装置的制造方法
162 042126486.4 缩小图案间隙且确保该间隙的方法
163 052129752.5 一种后浅槽隔离工艺方法
164 092105321.9 结合自我对准接触制程以及自我对准硅化物制程的方法
165 043103798.4 沟道蚀刻薄膜晶体管
166 021812504.2 形成平版印刷用填隙材料的组合物
167 042161111.4 微电子机械系统结构及其制造方法
168 032106537.3 强化覆层与金属基板间结合耐久性的电化学触媒电极
169 002158423.0 硅部件制造方法及硅部件和使用该硅部件的光学部件
170 032106652.3 微型显示器的间隙柱组成方法
171 092105271.9 去除感光性树脂与残余聚合物的方法
172 012105194.1 快闪记忆体及其制造方法
173 091806205.9 微型反应器
174 031812560.3 剥除时间反馈控制以减少剥除后晶体管栅极临界尺寸变化
175 033103728.3 喷墨打印头的制造方法
176 002106864.X 增进介电抗反射涂布层的光阻蚀刻选择比的方法
177 013104380.1 在接触孔中形成的配线分层结构，配线分层结构的制作方法，以及具有该配线分层...
178 013101625.1 制造半导体器件的方法
179 032159626.3 在快闪存储器元件中形成自行对准掩埋N+型式区域的方法
180 032132281.3 在形成有导电结构的半导体基底表面形成双镶嵌结构的方法
181 021809456.2 具有可控制导电性的半导体材料及器件的制造
182 013128601.1 掩膜元件，用此元件制备掩膜的方法和用此掩膜制备感光树脂印版的方法
183 022107115.2 沉积绝缘层于沟槽中的装置
184 052107170.5 印刷电路板内建电阻的制造方法
185 011813256.1 利用扫描探针显微镜针尖的方法及其产品或产品的制作方法
186 052110120.5 金属蚀刻画的制造方法
187 033120500.3 光学开关元件及其制造方法
188 002107397.X 一种晶圆型态封装及其制作方法
189 053107647.5 含低介电常数绝缘膜的半导体装置的制造方法
190 033120531.3 半导体器件及其制造方法
191 002131853.0 ZnMgSSe系正-本-负光电二极管以及ZnMgSSe系雪崩二极管
192 002151343.0 脊形波导型半导体激光装置
193 001811234.X 在基片上形成阻挡结构的方法及其形成的物体
194 032108014.3 使用曝光液体制造微型钻头的方法和装置
195 002107870.X 利用微影蚀刻制程制作喷墨式打印头的喷孔片的方法
196 003115123.X 微光学眼镜片设计与制造工艺及其镜片
197 043122691.4 显示装置用布线基板及其制造方法
198 092107795.9 流体喷射装置制造方法
199 053108247.5 光致抗蚀剂残渣除去液组合物
200 002108105.0 改进微距一致性的方法
201 003102525.0 细微图案形成方法
202 083108318.8 形成抗蚀图的方法
203 062155288.6 制作多晶硅薄膜的方法
204 062143321.6 减少反应室杂质含量的方法
205 092107943.9 减少废气排放量的蚀刻方法
206 022147324.2 电镀金属退火的方法
207 082107868.8 深次微米MOS装置及其制造方法
208 073107534.7 使用双波纹技术制造半导体器件的方法
209 092108011.9 制作封装输出输入端点的方法以及其结构
210 033123302.3 音叉型压电振荡片及其制造方法，压电器件
211 053110189.5 制作多层电路板的方法
