本发明涉及一种双结叠层太阳能电池及其制备方法，所述电池包括层叠设置的晶硅电池和硫硒化锑电池，所述硫硒化锑电池中设有硫硒化锑吸光层和缓冲层；制备所述硫硒化锑吸光层的材料Sb2(SexS1–x)3中，0≤x≤0.5；所述缓冲层的材料为Zn(O,S,OH)X、CdS、ZnO或(Zn,Mg)O中的一种或几种。本发明的叠层电池能够提高对太阳光谱的高效充分吸收，实现Sb2(SexS1‑x)3薄膜吸收300‑700nm波长的光，晶硅吸收700‑1200nm波长的光，从而使该叠层电池具有更宽光谱响应值。
专利类型：发明
专利号：
201811573631.7
专利申请日：
2018.12.21
公开（公告）日：
2020.06.30
申请（专利权）人：
东泰高科装备科技有限公司;
发明（设计）人：
许吉林; 乔秀梅; 刘琦; 梁鹏; 王权; 辛智渊; 童翔;
国别省市：
北京;11
