太阳能电池表面结构的RIE腐蚀工艺 CN201310349175.9

太阳能电池表面结构的RIE腐蚀工艺，包括以下步骤：步骤一：将要刻蚀的硅片置于功率电极上；步骤二：关闭反应室，充入反应所需的气体；步骤三：设置反应参数，射频功率、反应气体压强和反应时间；步骤四：运行设备开始腐蚀工艺；步骤五：结束腐蚀工艺，取出腐蚀后的硅片。该工艺能够实现在多晶硅产业化上的应用，并能够有效地降低多晶硅表面的反射率，提高多晶硅电池的转换效率。
专利类型：发明
专利号：201310349175.9
专利申请日：2013.08.12
公开（公告）日：2013.11.13
申请（专利权）人：江苏宇兆能源科技有限公司
发明（设计）人：汪昭辉;郭文林;张盛杰;杨健;吴宇;庞益静
国别省市：江苏;32