一种太阳能电池减反射膜及其制备方法 CN201810384340.7

本发明涉及一种太阳能电池减反射膜的制备方法，其采用PECVD设备制备减反射膜，减反射膜包括第一氮化硅膜和第二氮化硅膜，制备第一氮化硅膜时，控制氨气和硅烷的流量比为3～5:1，制备第二氮化硅膜时，控制氨气和硅烷的流量比为10～12:1，并控制制备第一氮化硅膜和第二氮化硅膜时，氨气和硅烷的总气体流量为7000～8500sccm。本发明镀膜均匀性好，镀第一层膜与镀第二层膜切换时，气体流量达到平衡的时间快，温度场也更快达到均匀，镀膜致密性增加，能有效提高硅片表面的钝化性能，并且整体均匀性的提升使得电池片的光吸收增加，从而提高电性能，特别是使Voc和Isc同时提升。
专利类型：发明
专利号：201810384340.7
专利申请日：2018.04.26
公开（公告）日：2018.09.28
申请（专利权）人：维科诚（苏州）光伏科技有限公司;
发明（设计）人：张鑫; 范维涛; 孙晨财; 龚小文; 苏杨杨; 黄钧林; 胡晨晖; 彭美平;
国别省市：江苏;32