一种腐蚀制备选择性发射极晶体硅太阳能电池的方法 CN201210121103.4
该发明涉及一种腐蚀制备选择性发射极晶体硅太阳能电池的方法，属于太阳能电池领域。本发明在原有晶体硅太阳能电池工艺和设备的基础上，通过丝网印刷和减薄处理对电池受光面非电极区域选择性腐蚀，使其在非电极区域形成轻掺杂区，电极区域形成重掺杂区，再按常规晶体硅太阳能电池生产流程继续制备太阳能电池。本发明采用的方法简单高效、成本低廉，克服了传统选择性发射极晶体硅太阳能电池需要激光处理或二次高温扩散的缺陷，制备的电池效率高，大规模产业化简单。
专利号：
201210121103.4专利申请日：
2012.04.23公开（公告）日：
2013.10.30申请（专利权）人：
南安市三晶阳光电力有限公司发明（设计）人：
黄惠东;陈永虹;赖江海;肖海东;林禹国别省市：
福建;35
