一种太阳能电池吸收层的制备方法 CN201310272990.X

　
本发明属于太阳电池制备技术领域，特别是涉及一种太阳能电池吸收层的制备方法。鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种太阳能电池吸收层的制备方法，用于解决现有技术中采用溅射法制备吸收层的成分不易控制而导致性能不佳的问题。本发明采用CuIn1-xGaxSe2化合物靶材射频磁控溅射法制备，在溅射过程中即形成了CuIn1-xGaxSe2相，仅需要通过简单的热处理过程即可提高其结晶度以及晶粒大小，大大降低了传统的溅射后硒化工艺中硒化工艺的难度，同时，可加入厚度很薄的In2S3过渡层，则可进一步提高性能。
专利号：201310272990.X
专利申请日：2013.07.01
公开（公告）日：2013.10.09
申请（专利权）人：上海中科高等研究院
发明（设计）人：方小红;于洋;陈小源;鲁林峰;李东栋;刘东方
国别省市：上海;31