太阳能电池背面局部金属接触方法及电池制造方法 CN201710660796.7

本发明涉及一种太阳能电池背面局部金属接触方法，其包括如下步骤：1)提供掩膜版；2)采用掩膜版在硅片的背面沉积钝化膜，在硅片上形成电极接触区以及钝化区；3)在电极接触区上形成背电极。上述太阳能电池背面局部金属接触的方法无需在硅片背面开膜，就能够实现太阳能电池背面局部金属接触，不需要额外投入激光设备。另，掩模版图案可自由选择，保证较为理想的局部金属接触效果。本发明还提供了一种太阳能电池的制造方法。
专利类型：发明
专利号：201710660796.7
专利申请日：2017.08.04
公开（公告）日：2017.12.26
申请（专利权）人：张家港协鑫集成科技有限公司; 协鑫集成科技股份有限公司; 协鑫集成科技（苏州）有限公司; 苏州协鑫集成科技工业应用研究院有限公司; 徐州鑫宇光伏科技有限公司;
发明（设计）人：董建文; 张淳; 盛健; 王伟; 杨亚娣; 叶权华; 蔡文浩; 魏文文; 麻增智; 钱小立; 张一波;
国别省市：江苏;32