太阳能电池性能的改进方法及其结构 CN201210478809.6

本发明公开了太阳能电池性能的改进方法及其结构，具体的是公开了一种提高微晶硅单节薄膜电池以及非晶微晶叠层电池的填充因子以及改善其温度系数的方法，所述方法在微晶PIN结构中的复合P型掺杂层中，插入5nm~10nm的微晶P型SiOx薄膜，形成复合P型掺杂层。相应的，还提供采用本发明的方法形成的微晶硅单节薄膜电池以及非晶微晶叠层电池结构。本发明的方法以及太阳电池结构可以改善微晶硅电池在粗糙衬底上生长的致密性，有效减少微晶电池的漏电，因此可以明显提高组件的并联电阻，从而提高组件的填充因子，开路电压和功率温度系数。
专利类型：发明
专利号：201210478809.6
专利申请日：2012.11.21
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.3.20
分类号：
申请（专利权）人：浙江正泰太阳能科技有限公司
发明（设计）人：王明华;姚文杰;李贵君;朱鑫;郁操;程冰;牛新伟
国别省市：浙江;33