用于晶体硅太阳能电池的扩散工艺 CN201710305222.8

本发明公开了一种用于晶体硅太阳能电池的扩散工艺，包括如下步骤：依次进行三步扩散和推进，其中，第一步扩散和第一次推进的中心温度为810℃，第二步扩散和第二次推进的中心温度为820℃，第三步扩散和第三次推进的中心温度为830℃，于每步扩散中通入携带磷源氮气。本发明实现了四探针测试条件下90‑100Ω/sq的高方阻，5点测试均匀性更好，有效降低了结深，减少了表面复合，配合合适的丝网印刷工艺，可以有效提升电池的开路电压和短路电流，使电池效率至少有0.1％的绝对值提升。该工艺过程操作简单，没有增加生产成本，易于工业化推广。
专利类型：发明
专利号：201710305222.8
专利申请日：2017.05.03
公开（公告）日：2017.08.22
申请（专利权）人：北京捷宸阳光科技发展有限公司;
发明（设计）人：张华灿; 赵钊; 刘德臣; 王军; 顾艳杰;
国别省市：北京;11