一种具有交叉电极的晶体硅太阳能电池及其制备方法 CN201611073643.4

本发明公开了一种具有交叉电极的晶体硅太阳能电池，包括单晶硅片，在所述一面设有背反射层，在所述单晶硅片的另一面设有绒面和减反射膜结构，在所述单晶硅片的一端设有正电极，单晶硅片的另一端设有负电极，在所述正电极的内侧设有P+掺杂层，在所述负电极的内侧设有N+掺杂层；在所述单晶硅片上还设有若干PN结结构，所述PN结结构包括P+掺杂层和N+掺杂层，且所述P+掺杂层和N+掺杂层的角度与入射光平行，P+掺杂层由单晶硅片外侧向内侧延伸，N+掺杂层由单晶硅片内侧向外侧延伸，P+掺杂层和N+掺杂层的端部在单晶硅片的中部构成交叉结构。
专利类型：发明
专利号：201611073643.4
专利申请日：2016.11.29
公开（公告）日：2017.05.17
申请（专利权）人：上海电机学院;
发明（设计）人：郭群超; 王珺; 朱红英;
国别省市：上海;31