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一种具有交叉电极的晶体硅太阳能电池及其制备方法 CN201611073643.4


本发明公开了一种具有交叉电极的晶体硅太阳能电池,包括单晶硅片,在所述一面设有背反射层,在所述单晶硅片的另一面设有绒面和减反射膜结构,在所述单晶硅片的一端设有正电极,单晶硅片的另一端设有负电极,在所述正电极的内侧设有P+掺杂层,在所述负电极的内侧设有N+掺杂层;在所述单晶硅片上还设有若干PN结结构,所述PN结结构包括P+掺杂层和N+掺杂层,且所述P+掺杂层和N+掺杂层的角度与入射光平行,P+掺杂层由单晶硅片外侧向内侧延伸,N+掺杂层由单晶硅片内侧向外侧延伸,P+掺杂层和N+掺杂层的端部在单晶硅片的中部构成交叉结构。
专利类型:发明
专利号:201611073643.4
专利申请日:2016.11.29
公开(公告)日:2017.05.17
申请(专利权)人:上海电机学院;
发明(设计)人:郭群超; 王珺; 朱红英;
国别省市:上海;31


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