一种旋涂硼酸盐扩散层的太阳能电池及其制作工艺 CN201611030920.3

本发明公开了一种旋涂硼酸盐扩散层的太阳能电池，包括N型硅衬底，N型硅衬底的表面场自下而上依次铺设有B型扩散层及绝缘层，其中，B型扩散层的材质为硼酸盐，绝缘层的材质为SiNx层膜，绝缘层的上表面设置有P型金属电极；本发明还设计了一种旋涂硼酸盐扩散层的太阳能电池的制作工艺；本发明所设计的旋涂硼酸盐扩散层的太阳能电池具有扩散温度低、时间短、工艺简单和环境友好等优点，因此，这种扩散工艺在制备N型太阳能电池的发射极方面具有广阔的应用前景。
专利类型：发明
专利号：201611030920.3
专利申请日：2016.11.22
公开（公告）日：2017.02.22
申请（专利权）人：浙江昱辉阳光能源江苏有限公司;
发明（设计）人：李恒亮; 张洪宝; 朱琛;
国别省市：江苏;32