一种表面尖锥状黑硅的湿法化学制备方法 CN201310521901.0

本发明公开了一种表面尖锥状黑硅的湿法化学制备方法，所述的制备方法为：首先配制两种刻蚀液，第一种刻蚀液为硝酸铜、过氧化氢和氢氟酸的混合水溶液，第二种刻蚀液为硝酸铜、氟化氢铵和过氧化氢的混合水溶液；接着将单晶硅片置于第一种刻蚀液中进行初期刻蚀；然后置于第二种刻蚀液中进行表面结构修饰；最后清洗去除表面金属粒子残留，烘干即得表面尖锥状黑硅材料；本发明利用铜离子两步化学辅助刻蚀，在单晶硅表面制备出尖锥状的微纳米结构，此结构具有很好的陷光性能，应用于硅基太阳能电池可以显著提高对光的吸收效率。
专利类型：发明
专利号：201310521901.0
专利申请日：2013.10.29
公开（公告）日：2014.02.12
申请（专利权）人：浙江工业大学
发明（设计）人：丁月;卢建树
国别省市：浙江;33