一种抗PID的晶体硅太阳电池组件及其制备方法 CN201610290234.3
一种抗PID的晶体硅太阳电池组件及制备方法，包括从下向上依次设置的低铁压花钢玻璃、第一封装胶膜、整个电池片、第二封装胶膜和背板，所述的电池片周围设置一圈导电保护环，其中，所述整个电池片为若干电池片互相串联而成。当有太阳光时，各子串会输出直流高压，该直流高压的正极和导电保护环相连接，这样该导电保护环相对于各组件的铝边框是正电压，形成的电场由保护环指向玻璃外面，这样从根本上预防了玻璃中的金属离子向电池片表面迁移，从而从根本上解决了晶体硅光伏组件存在的PID衰减，该方法简单易行，成本低、效果好。本发明从根本上消除了晶体硅太阳电池组件的PID衰减，克服了现有方法的局限性和危险性。
专利类型：发明
专利号：
201610290234.3
专利申请日：
2016.05.04
公开（公告）日：
2016.08.03
申请（专利权）人：
西安交通大学;
发明（设计）人：
杨宏; 王鹤;
国别省市：
陕西;61
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