一种制备n型晶体硅双面太阳电池的方法 CN201610323511.6

一种制备n型晶体硅双面太阳电池的方法，按如下步骤：对硅片表面进行制绒和清洗；CVD法或PVD法在需扩散硼的一面沉积重掺杂硼的氧化硅薄膜，厚度为20‑200nm；CVD法或PVD法在需扩散磷的一面沉积重掺杂磷的氧化物薄膜，厚度为20‑200nm；洁净空气气氛或氧气气氛中常压高温扩散，同步制得掺杂n型层和掺杂p型层；硅片双面氧化物的湿化学法去除和清洗；硅片双面钝化减反射膜的沉积；硅片双面栅线电极的制备；硅片边缘的防漏电处理。本发明扩散技术相对简单，掺杂层的掺杂浓度精确可控，可避免表面过高浓度的死层问题，所得掺杂层的方阻分布均匀。本发明制备的n型晶体硅双面太阳电池的性能优良，制造成本较低。
专利类型：发明
专利号：201610323511.6
专利申请日：2016.03.17
公开（公告）日：2016.08.03
申请（专利权）人：南昌大学;
发明（设计）人：黄海宾; 周浪; 岳之浩; 高超; 韩宇哲; 宿世超;
国别省市：江西;36