一种低杂质含量的太阳能电池制备方法 CN201410673917.8
本发明公开了一种低杂质含量的太阳能电池制备方法，采用在硅片的正背面形成氧化硅层进行快速退火工艺，并且结合热扩散工艺，使硅片中的杂质被激活并迁移至氧化硅层，再清除富集杂质的氧化硅层，从而大幅减少太阳能电池杂质含量，有效提高硅片的平均少子寿命和电池光电转换效率。
专利类型：发明
专利号：
201410673917.8专利申请日：
2014.11.21公开（公告）日：
2015.04.22申请（专利权）人：
广东爱康太阳能科技有限公司发明（设计）人：
石强; 秦崇德; 方结彬; 黄玉平; 何达能国别省市：
广东;44
