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型IBC电池结构及其制备方法 CN201610152526.0


本发明公开了一种IBC电池结构及其制作工艺方法,主要解决现有技术制作IBC电池工艺复杂,制造成本高昂的问题。该N型IBC电池,包括减反层、硅片基体、掺杂层、钝化层及金属电极,其特征在于:减反层设在硅片基体的正面,硅掺杂层包括n+重掺杂层和p+重掺杂层,该n+重掺杂层和p+重掺杂层平行设在硅片基体的背面,钝化层设在n+重掺杂层和p+重掺杂层的上面;在n+重掺杂层、p+重掺杂层上引出金属电极至钝化层背面。本发明采用SiNx膜或叠层膜的减反层和钝化层简化了现有电池结构,提高了生产效率,减低了生产成本。
专利类型:发明
专利号:201610152526.0
专利申请日:2016.03.17
公开(公告)日:2016.05.11
申请(专利权)人:西安电子科技大学; 中电投西安太阳能电力有限公司;
发明(设计)人:董鹏; 郭辉; 屈小勇; 张玉明;
国别省市:陕西;61


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