型IBC电池结构及其制备方法 CN201610152526.0

本发明公开了一种IBC电池结构及其制作工艺方法，主要解决现有技术制作IBC电池工艺复杂，制造成本高昂的问题。该N型IBC电池，包括减反层、硅片基体、掺杂层、钝化层及金属电极，其特征在于：减反层设在硅片基体的正面，硅掺杂层包括n+重掺杂层和p+重掺杂层，该n+重掺杂层和p+重掺杂层平行设在硅片基体的背面，钝化层设在n+重掺杂层和p+重掺杂层的上面；在n+重掺杂层、p+重掺杂层上引出金属电极至钝化层背面。本发明采用SiNx膜或叠层膜的减反层和钝化层简化了现有电池结构，提高了生产效率，减低了生产成本。
专利类型：发明
专利号：201610152526.0
专利申请日：2016.03.17
公开（公告）日：2016.05.11
申请（专利权）人：西安电子科技大学; 中电投西安太阳能电力有限公司;
发明（设计）人：董鹏; 郭辉; 屈小勇; 张玉明;
国别省市：陕西;61