一种多结太阳能电池的集成旁路二极管的制备方法 CN201510894699.5
本发明公开了一种多结太阳能电池的集成旁路二极管的制备方法，包括以下步骤：在衬底上形成多结太阳能电池外延结构；形成太阳能电池制作区域与旁路二极管制作区域之间的隔离槽；对旁路二极管制作区域的外延层进行特定能量的离子注入，使其多结子电池中的至少一个子电池pn结的掺杂情况被改变；对上述旁路二极管制作区域的外延层进行特定波长的强光照射，使其多结子电池中的至少一个子电池pn结受到高温退火处理；制备太阳能电池与旁路二极管的正面、背面电极与减反射膜；按照互联规则封装太阳能电池与旁路二极管。
专利类型：发明
专利号：
201510894699.5
专利申请日：
2015.12.08
公开（公告）日：
2016.04.20
申请（专利权）人：
天津三安光电有限公司;
发明（设计）人：
刘冠洲; 毕京锋; 熊伟平; 李明阳; 杨美佳; 宋明辉; 李森林; 陈文浚
国别省市：
天津;12
