背接触异质结太阳电池及其制备方法 CN201610028152.1
本发明公开了一种全背型异质结太阳电池，包括硅基体层，其特征在于：在硅基体层的前表面依次设置前N型表面场和减反层，在硅基体层的背表面设置本征非晶硅钝化层，在本征非晶硅钝化层上间隔地设置有P型非晶硅层和N型非晶硅层，P型非晶硅层和N型非晶硅层上分别设置有透明导电薄膜层，透明导电薄膜层上设置有电极，所述P型非晶硅层的厚度为5-20nm，宽度为100-1000μm，N型非晶硅层的厚度为5-20nm，宽度为100-1000μm，相邻的P型非晶硅层的中心点与N型非晶硅层的中心点间隔150-3000μm，在所述P型非晶硅层与N型非晶硅层之间设置有绝缘隔离层。本发明还公开了一种全背型异质结太阳电池的制备方法。本发明可防止漏电流的产生，提升太阳电池的开路电压。
专利类型：发明
专利号：
201610028152.1
专利申请日：
2016.01.16
公开（公告）日：
2016.04.20
申请（专利权）人：
常州天合光能有限公司;
发明（设计）人：
包健; 王栋良; 舒欣; 陈奕峰; 杨阳; 张学玲;
国别省市：
江苏;32
