一种晶体硅异质结太阳能电池的制备方法 CN201310171277.6

　
本发明公开了一种晶体硅异质结太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)清洗、腐蚀制绒；(2)将硅片的正面和背面分别进行Si离子注入，在正反两面上分别形成一层非晶硅薄膜；(3)将硅片正面的非晶硅薄膜进行两次B离子注入；(4)将硅片背面的非晶硅薄膜进行B离子注入；(5)将硅片背面的非晶硅薄膜进行P离子注入；(6)热激活处理；(7)在硅片的正反两面设置透明导电薄膜层；(8)丝网印刷、烧结在硅片表面制备金属电极。本发明获得了高质量的晶体硅异质结太阳能电池，形成了高质量的非晶硅薄膜层和极少缺陷的一体化的晶硅、非晶硅异质结叠加界面，提高了钝化效果并有效地降低了漏电流。
专利号：201310171277.6
专利申请日：2013.05.10
公开（公告）日：2013.08.14
申请（专利权）人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
发明（设计）人：熊光涌;王栩生;章灵军
国别省市：江苏;32