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一种晶体硅异质结太阳能电池的制备方法 CN201310171277.6

 
本发明公开了一种晶体硅异质结太阳能电池的制备方法,包括如下步骤:(1)清洗、腐蚀制绒;(2)将硅片的正面和背面分别进行Si离子注入,在正反两面上分别形成一层非晶硅薄膜;(3)将硅片正面的非晶硅薄膜进行两次B离子注入;(4)将硅片背面的非晶硅薄膜进行B离子注入;(5)将硅片背面的非晶硅薄膜进行P离子注入;(6)热激活处理;(7)在硅片的正反两面设置透明导电薄膜层;(8)丝网印刷、烧结在硅片表面制备金属电极。本发明获得了高质量的晶体硅异质结太阳能电池,形成了高质量的非晶硅薄膜层和极少缺陷的一体化的晶硅、非晶硅异质结叠加界面,提高了钝化效果并有效地降低了漏电流。
专利号:201310171277.6
专利申请日:2013.05.10
公开(公告)日:2013.08.14
申请(专利权)人:苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
发明(设计)人:熊光涌;王栩生;章灵军
国别省市:江苏;32


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