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一种硅片表面钝化方法及基于其的N型双面电池的制作方法 CN201510610013.5

本发明涉及一种硅片表面钝化方法及基于其的N型双面电池的制作方法,它包括以下步骤:(a)采用HF溶液或者含HF的第一混酸溶液对硅片的表面进行处理,除去氧化层、硼硅玻璃或/和磷硅玻璃;(b)采用碱液中和步骤(a)中残留的酸性溶液;(c)去除硅片表面残留的碱液和金属杂质;(d)在紫外线照射下,用臭氧气体吹扫硅片表面或者将硅片浸在含臭氧的水中,在硅片表面形成氧化硅。只需要在紫外线照射下,用臭氧气体吹扫硅片表面或者将硅片浸在含臭氧的水中,即可在硅片表面形成氧化硅,该步骤可以在常温下完成,大大降低了成本,尤其适用于大规模工业化生产。
专利类型:发明
专利号:201510610013.5
专利申请日:2015.09.23
公开(公告)日:2015.12.2
申请(专利权)人:中利腾晖光伏科技有限公司
发明(设计)人:倪志春; 魏青竹; 吴晨阳; 陆俊宇; 连维飞
国别省市:江苏;32


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