一种硅片表面钝化方法及基于其的N型双面电池的制作方法 CN201510610013.5

本发明涉及一种硅片表面钝化方法及基于其的N型双面电池的制作方法，它包括以下步骤：（a）采用HF溶液或者含HF的第一混酸溶液对硅片的表面进行处理，除去氧化层、硼硅玻璃或/和磷硅玻璃；（b）采用碱液中和步骤（a）中残留的酸性溶液；（c）去除硅片表面残留的碱液和金属杂质；（d）在紫外线照射下，用臭氧气体吹扫硅片表面或者将硅片浸在含臭氧的水中，在硅片表面形成氧化硅。只需要在紫外线照射下，用臭氧气体吹扫硅片表面或者将硅片浸在含臭氧的水中，即可在硅片表面形成氧化硅，该步骤可以在常温下完成，大大降低了成本，尤其适用于大规模工业化生产。
专利类型：发明
专利号：201510610013.5
专利申请日：2015.09.23
公开（公告）日：2015.12.2
申请（专利权）人：中利腾晖光伏科技有限公司
发明（设计）人：倪志春; 魏青竹; 吴晨阳; 陆俊宇; 连维飞
国别省市：江苏;32